[发明专利]MEMS器件有效
| 申请号： | 201080027903.9 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102803125A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 巴特·范维尔岑;汉斯·范扎德尔霍夫;格雷亚·乔安娜·阿德里亚娜·玛利亚·费尔海登 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
1.一种制造MEMS器件的方法，包括：
在衬底上形成MEMS器件元件(12)；
在所述MEMS器件元件周围的衬底上形成侧壁(20)；
在所述器件元件上以及在所述侧壁(20)内形成牺牲层(14)；
在所述牺牲层和所述侧壁上形成封装覆盖层(16)，所述封装覆盖层(16)从而覆盖且密封所述侧壁(20)、并且限定腔体的顶盖；以及
去除所述牺牲层(14)。
2.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述牺牲层(14)包括热降解层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述封装覆盖层(16)对于热降解牺牲层(14)是多孔的。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述封装覆盖层(16)包括氧化硅。
5.根据权利要求2、3或4所述的方法，其中所述热降解层(14)包括Unity400或Shipley XP0733。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中通过旋涂来沉积所述热降解层(14)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述侧壁(20)由氧化硅、氮化硅、多晶硅、氧氮化硅或固化有机材料形成。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述侧壁(20)通过LPCVD或PECVD形成。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中形成侧壁(20)还包括在由所述侧壁(20)限定的空间内形成支撑柱(22)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述MEMS器件元件(12)包括开关、电容器或谐振器。
11.一种封装的MEMS器件，包括：
衬底上的MEMS器件元件(12)；
所述MEMS器件元件(12)上的腔体，其中所述腔体在衬底上具有围绕所述腔体的外围的侧壁(20)；
设置在所述腔体和所述侧壁(20)上的封装覆盖层(16)，从而所述封装覆盖层(16)覆盖并且密封所述侧壁(20)，并且限定腔体的顶盖。
12.根据权利要求11所述的器件，还包括具有热降解聚合物的牺牲层(14)的残留物。
13.根据权利要求12所述的器件，其中所述热降解层(14)包括Unity 400或Shipley XP0733。
13、根据权利要求11或12所述的器件，其中所述封装覆盖层(16)包括氧化硅或SIOC。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的器件，其中所述侧壁(20)由氧化硅、氮化硅、多晶硅、氧氮化硅或固化有机材料形成。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的器件，其中所述MEMS器件元件(120)包括开关、电容器或谐振器。
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