[发明专利]用于由电绝缘材料形成的无电阻层的方法和装置无效
申请号: | 201080028048.3 | 申请日: | 2010-04-26 |
公开(公告)号: | CN102549766A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 沃尔夫.厄埃亭;保罗.安德里亚尼 | 申请(专利权)人: | 沃尔夫.厄埃亭;保罗.安德里亚尼 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 绝缘材料 形成 电阻 方法 装置 | ||
1.一种沉积方法。
2.如权利要求1所述的方法,所述方法包括:
提供适合载有电流的基底;
分别控制在该基底两侧同时形成的材料的膜特征,以便在该基底的一侧提供该材料的第一层,在该基底的另一侧提供第二层,而该第一层比该第二层厚很多,其中该材料是电绝缘的,但该第二层被配置成对从该基底通过该第二层或相反方向的电流不具有相当的电阻。
3.如权利要求1所述的方法,所述方法包括:
在沉积过程中,在该基底的至少一侧屏蔽阴极以形成材料厚度较薄的第二层。
4.如权利要求3所述的方法,所述方法包括:
其中该第二层具有平均最大厚度为50nm或更小。
5.如权利要求3所述的方法,所述方法包括:
其中该第二层具有的平均最小厚度足以使得该第二层成为导电的。
6.如权利要求1所述的方法,其中该材料包括氧化铝,但该第二层为导电的。
7.如权利要求1所述的方法,其中该第二层具有多个孔隙,其中该第二层的总最大厚度为50nm至100nm,并具有总最小厚度为至少5nm。
8.如权利要求1所述的方法,其中该基底由铝组成。
9.如权利要求1所述的方法,其中该材料为电绝缘的,当被用于该第二层配置中除外,其中,尽管其由该电绝缘的材料组成,该第二层是导电的。
10.如权利要求1所述的方法,包括在该基底的一侧形成电绝缘层,不在该基底的另一侧使用遮罩,而该另一侧仍保持导电性。
11.如权利要求1所述的方法,包括将基底浸入浴中,以在该基底的一侧形成电绝缘层,不在该基底的另一侧使用遮罩,而该另一侧仍保持导电性。
12.如权利要求1所述的方法,包括将基底浸入浴中,以在该基底的一侧形成电绝缘层,不在该基底的另一侧使用遮罩,而在该另一侧同时形成导电层。
13.如权利要求1所述的方法,还包括在该第二层上溅射沉积一层导电金属。
14.如权利要求14所述的方法,其中该导电金属层的厚度小于25nm。
15.如权利要求14所述的方法,其中该导电金属层的厚度小于常规厚度。
16.一种太阳能电池,其包括:
铝基底,其具有经阳极化处理的电绝缘背侧层以及经阳极化处理的导电前侧层;
在该经阳极化处理的导电前侧层上的导电层;
在该导电层上的薄膜光伏吸收层;及
在该光伏吸收层上的接合配合层。
17.如权利要求17所述的太阳能电池,其中该经阳极化处理的导电前侧层具有多个孔隙。
18.如权利要求18所述的太阳能电池,其中该孔隙的直径为5nm至100nm。
19.如权利要求18所述的太阳能电池,其中该孔隙的底壁为至少5nm厚。
20.一种方法,其包括:
提供经延长的柔性导电基底;
分别控制在该基底两侧形成的材料的膜特征,以便在该基底的一侧提供该材料的第一层,在该基底的另一侧提供第二层,而该第一层比该第二层厚很多,该第二层被配置成具有低电阻,而该第一层被配置成具有高电阻,
其中该第一层和第二层被同时形成并由同种材料组成;
在该第二层上施加压力以在该第二层上形成更多的缺损;及
在这些缺损中填入导电材料。
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