[发明专利]磁传感器

说明书

技术领域

本发明涉及一种具备由化合物半导体形成的感磁部的磁传感器，更详细地说，涉及一种具备感磁部以及能够调整灵敏度的修调(trimming)部的磁传感器。

背景技术

通常，磁传感器广泛应用于电流检测元件、位置检测元件等，近年来，随着不断高精度化，降低磁传感器的特性(灵敏度和偏移电压)的偏差的要求越来越强烈。通常，在安装磁传感器的传感器模块的电路上，使用可变电阻等进行特性调整，但是，如果能够在晶圆上降低磁传感器的偏差，则电路上的个别调整被简化，能够实现低成本化以及小型轻量化。

图1A以及图1B是用于说明以往的磁传感器的结构图，图1A是俯视图，图1B是图1A中的IB-IB’线截面图，图2是表示图1A的等效电路的电路图。在图中，附图标记1表示感磁部，1a、1b表示感磁部的输入端子，1c、1d表示感磁部的输出端子，2表示接合电极焊盘，5表示保护层，6表示衬底。

如图1A以及图1B所示，以往的磁传感器具有十字形状图案的感磁部1，该感磁部1设置于衬底6上，由化合物半导体形成。如图2所示，该感磁部1构成桥电路，具备输入端子1a、1b和输出端子1c、1d。在这些输入端子1a、1b和输出端子1c、1d上分别连接有接合电极焊盘2。另外，在感磁部1上设置有保护层5。

具有这种结构的以往的磁传感器不具有修调部，因此如图2所示，对感磁部1的输入端子1a、1b之间直接施加恒定电压Vin。磁传感器的恒定电压灵敏度由化合物半导体的迁移率和感磁部1的形状(长度与宽度的比)以及恒定电压Vin决定，因此元件之间(晶圆面内以及晶圆之间)的半导体层的迁移率和感磁部形状的偏差直接成为恒定电压灵敏度的偏差，因此无法调整恒定电压灵敏度。

作为降低这种磁传感器的特性偏差的方法，例如已知一种专利文献1以及2所示那样的对磁传感器实施修调的方法。专利文献1所述的技术与不等位电压小的霍尔元件有关，采用了以下方法：一边测量霍尔电压端子间的电压，一边在霍尔电压端子和安装部之间设置所需量的狭缝以及对感磁部镀金属，通过这种方法来调整偏移电压。

图3是表示上述专利文献1所述的磁传感器的等效电路的电路图，在图中，附图标记11a、11b表示感磁部的输入端子，11c、11d表示感磁部的输出端子。在该专利文献1中记载了能够通过对感磁部进行修调来调整偏移电压，但是施加给感磁部(桥电路)的电压Vin是固定的，因此无法调整恒定电压灵敏度。

另外，专利文献2所述的技术与使用于速度传感器、磁编码器的磁传感器有关，通过对磁阻元件中的构成桥的电阻体照射激光进行修调来调整偏移电压。

这样，在上述专利文献1以及2所述的任一方法中，能够在晶圆上调整偏移电压，但是无法进行灵敏度的调整。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够在晶圆上调整灵敏度并且批量生产性良好的特性偏差小的磁传感器。

专利文献1：日本特开昭55-134992号公报

专利文献2：日本特开平1-199180号公报

发明内容

本发明是为了达到这种目的而完成的，是一种磁传感器，具备感磁部，该感磁部设置在衬底上，由化合物半导体形成，该磁传感器的特征在于，上述感磁部具备输入端子和输出端子，在上述输入端子中的至少一个输入端子上经由连接电极串联连接有具有上述化合物半导体的修调部(相当于图6的实施例1)。

另外，本发明的特征在于，上述修调部具备修调层以及设置在该修调层上的第一化合物半导体层，该第一化合物半导体层的材料是修调用激光能够透过的材料(相当于图7的实施例2)。

另外，本发明的特征在于，上述修调部具备修调层以及设置在该修调层下的第二化合物半导体层，该第二化合物半导体层的材料是修调用激光能够透过的材料(相当于图12的实施例3)。

另外，本发明的特征在于，上述第一化合物半导体层和上述第二化合物半导体层由AlGaAsSb层形成，上述修调层由InAs层形成。

根据本发明，在磁传感器的感磁部的输入端子上经由连接电极串联连接有具有与感磁部相同的化合物半导体的修调部，一边进行晶圆检查(电检查)，一边利用激光修调来改变修调部的电阻值，由此能够调整灵敏度，能够提供批量生产性良好的特性偏差小的磁传感器。

附图说明

图1A是用于说明以往的磁传感器的结构图，是俯视图。

图1B是图1A中的IB-IB’线截面图。

图2是表示图1A的等效电路的电路图。