[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201080028595.1 | 申请日: | 2010-07-02 |
公开(公告)号: | CN102473815A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 吉村健一;高桥向星;福永浩史;广崎尚登 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张远 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种半导体发光装置,其特征在于,具备:
发出蓝色光的半导体发光元件;
吸收该蓝色光来发出绿色光的绿色荧光体;和
吸收该蓝色光来发出橙色光的橙色荧光体,
上述绿色荧光体和上述橙色荧光体发出的荧光的发光光谱的峰值波长在540nm以上且565nm以下的范围内,在设该峰值波长的发光强度为PI(MAX)、比该峰值波长长90nm的波长下的发光强度为PI(90)时,满足下面的关系:
0.70>PI(90)/PI(MAX)>0.55。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
在绿色荧光体和橙色荧光体所发出的荧光的上述发光光谱中,设比峰值波长短35nm的波长下的发光强度为PI(-35)时,还满足以下关系:
PI(-35)/PI(MAX)<0.60。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
上述半导体发光元件发出的蓝色光的峰值波长在440nm以上且470nm以下的范围内,
上述橙色荧光体发出的荧光的发光光谱中的峰值波长在570nm以上且620nm以下的范围内,
上述橙色荧光体发出的荧光的上述发光光谱中的半值幅度在120nm以上且150nm以下的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
在设比420nm长的波长侧中的上述橙色荧光体的吸收率的最大值为ABS(MAX)、设波长520nm下的上述橙色荧光体的吸收率为ABS(520)时,满足以下关系:
ABS(520)/ABS(MAX)<0.60。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
上述橙色荧光体是Ce激活荧光体。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置,其特征在于,
上述Ce激活荧光体是Ce激活氮化物系荧光体或Ce激活氮氧化物系荧光体。
7.根据权利要求5所述的半导体发光装置,其特征在于,
上述Ce激活荧光体是含有具有以下述的一般式(1)所表示的化学组成的结晶相的荧光体:
(1-a-b)(Ln′pM(II)′(1-p)M(III)′M(IV)′N3)·a(M(IV)′(3n+2)/4NnO)·b(A·M(IV)′2N3)……(1)
式中,Ln′是从镧系元素、Mn以及Ti构成的群中选择的至少一种金属元素,
M(II)′是从由Ln′元素以外的2价的金属元素构成的群中选择的一种或2种以上的元素,
M(III)′是从由3价金属元素构成的群中选择的1种或2种以上的元素,
M(IV)′是从由4价金属元素构成的群中选择的1种或2种以上的元素,
A是从Li、Na、以及K构成的群中选择的1种以上的1价金属元素,
P为满足0<p≤0.2的数,
a、b以及n为满足0≤a、0≤b、0<a+b<1、0≤n以及0.002≤(3n+2)a/4≤0.9的数。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置,其特征在于,
上述Ce激活荧光体是在具有下述组成的结晶中固溶了Ce和氧的固溶体结晶,该组成为:
cCaAlSiN3·(1-c)LiSi2N3
其中,0.2≤c≤0.8。
9.根据权利要求8所述的半导体发光装置,其特征在于,
固溶了Ce和氧的上述固溶体结晶中的Ce浓度在6重量%以下的范围内。
10.根据权利要求8所述的半导体发光装置,其特征在于,
固溶了Ce和氧的上述固溶体结晶中的Li浓度为1.5重量%以上且4重量%以下的范围内。
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