[发明专利]镁‑硅复合材料及其制造方法、以及采用该复合材料的热电转换材料、热电转换元件及热电转换模块

权利要求书

1.一种镁-硅复合材料，所述镁-硅复合材料含有以原子量比计为0.10at％～2.00at％的掺杂物，在管电压40kV、管电流40mA条件下的X射线衍射中，2θ＝36.34～36.68度的Mg峰值强度在12.9cps以下，2θ＝28.30～28.52度的Si峰值强度在340.5cps以下，并且在866K的无因次性能指数为0.665以上。

2.根据权利要求1所述的镁-硅复合材料，所述镁-硅复合材料使用Mg含量与Si含量的比以原子量比计为66.17:33.83～66.77:33.23、掺杂物的含量以原子量比计为0.10at％～2.00at％的组分原料制造而得。

3.根据权利要求1所述的镁-硅复合材料，其中，所述镁-硅复合材料以纯度为99.5％以上的Mg和纯度为99.9999％以上的Si为组分原料。

4.根据权利要求1所述的镁-硅复合材料，所述镁-硅复合材料的热导率在3.50W/m·K以下。

5.一种镁-硅复合材料的制造方法，其特征在于，包括：

在耐热容器中加热熔化Mg含量与Si含量的比以原子量比计为66.17:33.83～66.77:33.23、掺杂物的含量以原子量比计为0.10at％～2.00at％的组分原料的工序，其中，所述耐热容器具有开口部和覆盖所述开口部的盖部，所述开口部边缘的与所述盖部的接触面和所述盖部的与所述开口部的接触面均经过研磨处理；

对熔化固化物进行粉碎的工序；以及

对粉碎物进行烧结的工序，

加热熔化工序中的加热温度是700℃以上且低于1410℃，

所述接触面的表面粗糙度Ra是0.2μm～1μm，所述接触面的表面波纹度Rmax是0.5μm～3μm，

通过所述镁-硅复合材料的制造方法制造的镁-硅复合材料，含有以原子量比计为0.10at％～2.00at％的掺杂物，在管电压40kV、管电流40mA条件下的X射线衍射中，2θ＝36.34～36.68度的Mg峰值强度在12.9cps以下，2θ＝28.30～28.52度的Si峰值强度在340.5cps以下，并且在866K的无因次性能指数为0.665以上。

6.一种热电转换材料，所述热电转换材料由根据权利要求1所述的镁-硅复合材料构成。

7.一种热电转换元件，所述热电转换元件包括热电转换部、以及设置在该热电转换部的第一电极和第二电极，所述热电转换部使用根据权利要求1所述的镁-硅复合材料制造而成。

8.根据权利要求7所述的热电转换元件，其中，所述第一电极和所述第二电极通过电镀法形成。

9.根据权利要求7所述的热电转换元件，其中，所述第一电极和所述第二电极通过加压压缩烧结法与所述热电转换部一体成型。

10.根据权利要求7所述的热电转换元件，其中，所述热电转换部具有由不同的热电转换材料构成的多个层，相邻于所述第一电极或所述第二电极的层由Mg含量与Si含量的比以原子量比计为66.17:33.83～66.77:33.23、Sb含量以原子量比计为0.10at％～2.00at％的组分原料所合成的镁-硅复合材料构成。

11.一种热电转换模块，具有根据权利要求7所述的热电转换元件。

12.使用根据权利要求1所述的镁-硅复合材料制成的耐腐蚀性材料、轻质结构件、摩擦件、锂离子二次电池用负极材料、陶瓷基板、电介体瓷器组合物、氢吸藏组合物或者硅烷发生器。