[发明专利]用于光电子应用的铜络合物

权利要求书

1.式A的铜(I)络合物

其中

X＝Cl、Br和/或I

N^*∩E＝双齿配体，其中

E＝R₂E形式的膦基/胂基(其中R＝烷基、芳基、烷氧基、苯氧基或酰胺)；

N^*＝亚胺官能团，其是选自吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、噁唑基、噻唑基和咪唑基的芳族基的一部分，

“∩”＝至少一个碳原子，其同样是芳族基的一部分，其中碳原子既与亚胺的氮原子也与磷或砷原子直接相邻，

其中N^*∩E任选地具有至少一个取代基以增强铜(I)络合物在有机溶剂中的溶解性。

2.根据权利要求1所述的铜(I)络合物，其中N^*∩E选自

其中

Y＝O、S或NR5

E^*＝As或P

R1-R5＝各独立地为氢、卤素或通过氧或氮结合的取代基，或者烷基、芳基、杂芳基、链烯基、炔基、三烷基甲硅烷基和三芳基甲硅烷基基团，或者由卤素和/或如甲基、丁基或丙基的低级烷基基团所取代的烷基、芳基、杂芳基和链烯基基团，

其中R1-R5基团任选地形成稠环体系。

3.根据权利要求1或2所述的铜(I)络合物，其中用于增强溶解性的所述取代基选自：

-C1至C30长度的分支或不分支或环状长烷基链，

-C1至C30长度的分支或不分支或环状长烷氧基链，

-C1至C30长度的分支或不分支或环状长全氟烷基链，和

-具有3-50个重复单元链长的短链聚醚。

4.制备权利要求1至3所述的铜(I)络合物的方法，

包括如下步骤：

进行N^*∩E与Cu(I)X的反应，

其中

X＝(相互独立地)Cl、Br或I

N^*∩E＝双齿配体，其中

E＝R₂E形式的膦基/胂基(其中R＝烷基、芳基、烷氧基、苯氧基或酰胺)；

N^*＝亚胺官能团，其是选自吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、噁唑基、噻唑基和咪唑基的芳族基的一部分，

“∩”＝至少一个碳原子，其同样是芳族基的一部分，其中碳原子既与亚胺的氮原子也与磷或砷原子直接相邻。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述反应在二氯甲烷中进行。

6.根据权利要求4或5所述的方法，还包括添加二乙醚或戊烷以获得固体形式的铜(I)络合物的步骤。

7.根据权利要求4至6所述的方法，还包括由至少一个取代基取代至少一个配体N^*∩E的步骤，所述取代基可以选自：

-C1至C30长度的长链、分支或不分支或环状烷基链，

-C1至C30长度的长链、分支或不分支或环状烷氧基链，

-C1至C30长度的分支或不分支或环状全氟烷基链，和

-短链聚醚。

8.权利要求1至3所述的铜(I)络合物作为发射体或吸收体在光电子部件中的应用。

9.根据权利要求8所述的用途，其中所述光电子部件选自：

-有机发光二极管(OLED)，

-发光电化学电池，

-OLED传感器，特别是在其外部没有密封屏蔽的气体和蒸汽传感器中，

-有机太阳能电池，

-有机场效应晶体管

-有机激光器和

-降频转换元件。

10.根据权利要求8或9所述的用途，其特征在于所述铜(I)络合物在发射体或吸收体中的比例是100％。

11.根据权利要求8或9所述的用途，其特征在于所述铜(I)络合物在发射体或吸收体中的比例是1％至99％。