[发明专利]RF单端/差动转换器

权利要求书

1.一种包含单端/差动转换器的设备，所述单端/差动转换器包含：

第一输入晶体管及第二输入晶体管，所述第一输入晶体管的栅极耦合到单端电压，所述第二输入晶体管的栅极耦合到AC接地电压，所述第一输入晶体管及所述第二输入晶体管由主电流加偏压；

分别耦合到所述第一输入晶体管的漏极及所述第二输入晶体管的漏极的第一级联晶体管及第二级联晶体管；

耦合到所述第一级联晶体管的漏极及所述第二级联晶体管的漏极的负载元件，所述级联晶体管的所述漏极耦合到差动输出电压；及

第一级联互补晶体管及第二级联互补晶体管，所述第一级联互补晶体管的漏极及所述第二级联互补晶体管的漏极分别耦合到所述第二级联晶体管的所述漏极及所述第一级联晶体管的所述漏极，所述第一级联互补晶体管的栅极耦合到所述单端电压，所述第二级联互补晶体管的栅极耦合到AC接地电压，所述级联互补晶体管由辅助电流加偏压。

2.根据权利要求1所述的设备，所述第一级联互补晶体管及所述第二级联互补晶体管在弱反转下加偏压，所述第一输入晶体管及所述第二输入晶体管在中等反转下加偏压。

3.根据权利要求2所述的设备，所述第一级联互补晶体管及所述第二级联互补晶体管以0.4V的栅极-源极电压加偏压且具有0.55V的阈值电压，所述第一输入晶体管及所述第二输入晶体管以0.6V的栅极-源极电压加偏压且具有0.55V的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的设备，所述第一级联互补晶体管及所述第二级联互补晶体管使用耦合电容器耦合到所述单端电压及所述AC接地。

5.根据权利要求1所述的设备，所述单端/差动转换器进一步包含：

第一主电流源晶体管，所述第一主电流源晶体管的漏极耦合到所述第一输入晶体管的源极及所述第二输入晶体管的源极，所述第一主电流源晶体管由DC电压加偏压；

第二主电流源晶体管，所述第二主电流源晶体管的漏极耦合到所述第一输入晶体管的所述源极及所述第二输入晶体管的所述源极，所述第二主电流源晶体管由DC电压加偏压；

第一耦合电容器，其将所述第一主电流源晶体管的栅极耦合到所述第二输入晶体管的所述漏极；及

第二耦合电容器，其将所述第二主电流源晶体管的栅极耦合到所述第一输入晶体管的所述漏极。

6.根据权利要求1所述的设备，所述辅助电流由至少一个辅助电流源晶体管产生。

7.根据权利要求1所述的设备，所述主电流大于所述辅助电流。

8.根据权利要求1所述的设备，所述负载元件包含使用电压加偏压以在所述级联晶体管的所述漏极处产生共模输出电压的晶体管。

9.根据权利要求1所述的设备，所述负载元件包含电阻器。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包含无线通信装置。

11.一种方法，其包含：

将单端电压耦合到包含第一输入晶体管及第二输入晶体管以及第一级联晶体管及第二级联晶体管的主单端/差动转换器，所述第一输入晶体管的栅极耦合到单端电压，所述第二输入晶体管的栅极耦合到AC接地电压，所述第一输入晶体管及所述第二输入晶体管的源极由主电流加偏压，所述主单端/差动转换器进一步包含耦合到所述第一级联晶体管及所述第二级联晶体管的漏极的负载元件，所述级联晶体管的所述漏极耦合到差动输出电压；及

分别将所述第二级联晶体管及所述第一级联晶体管的漏极电压耦合到第一级联互补晶体管及第二级联互补晶体管的漏极，所述第一级联互补晶体管的栅极耦合到所述单端电压，所述第二级联互补晶体管的栅极耦合到AC接地电压，所述级联互补晶体管的源极由辅助电流加偏压。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含在弱反转下对所述第一级联互补晶体管及所述第二级联互补晶体管加偏压，及在中等反转下对所述第一输入晶体管及所述第二输入晶体管加偏压。