[发明专利]阳极壁多分割型等离子发生装置及等离子处理装置有效
申请号: | 201080028939.9 | 申请日: | 2010-05-06 |
公开(公告)号: | CN102471869A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 椎名祐一;渡边岩 | 申请(专利权)人: | 日本磁性技术株式会社 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/06;H01L21/31;H05H1/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吕林红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阳极 分割 等离子 发生 装置 处理 | ||
1.一种等离子发生装置,将等离子构成物质的供给源作为阴极,在所述阴极的前方或周围设置筒状的阳极,在真空气氛下在所述阴极与所述阳极间之间进行真空电弧放电,从所述阴极表面发生等离子;其特征在于:在形成所述阳极的筒内壁设置多个凹凸,当从所述阴极向所述阳极侧放出了的所述等离子的一部分在所述凹凸上附着而堆积了时,所述堆积物作为微细片从所述阳极剥落。
2.根据权利要求1所述的等离子发生装置,其特征在于:使所述凹凸的突部的最大长度比所述筒内壁与所述阴极外周之间的间隙的宽度短。
3.根据权利要求1或2所述的等离子发生装置,其特征在于:由格子状、斜交状、岛状的图案中的任一个形成多个所述凹凸。
4.根据权利要求1、2或3所述的等离子发生装置,其特征在于:将形成所述阳极的筒内壁中的、接近所述阴极的区域作为所述凹凸图案的形成区域,在余下的筒内壁上形成朝所述阴极的前方方向刻设了多个环状槽的环状槽图案。
5.根据权利要求1~4中的任何一项所述的等离子发生装置,其特征在于:在所述阴极的周围形成环状凹坑,将从所述阳极剥落了的所述微细片贮存、回收在所述凹坑中。
6.根据权利要求1~5中的任何一项所述的等离子发生装置,其特征在于:在所述阴极的下方设置所述微细片的贮存部,并且,在所述阴极的周围形成与所述贮存部连通的开放部,从所述阳极剥落了的所述微细片通过所述开放部贮存、回收到所述贮存部中。
7.一种等离子处理装置,具有权利要求1~6中的任何一项所述的等离子发生装置、输送由所述等离子发生装置发生了的等离子的等离子输送管、以及由从所述等离子输送管供给的等离子对被处理物进行处理的等离子处理部。
8.根据权利要求7所述的等离子处理装置,其特征在于:在所述阳极的筒体的等离子出口与所述等离子输送管之间夹装始端侧绝缘体,在所述等离子输送管与所述等离子处理部之间夹装终端侧绝缘体,使所述等离子发生装置、所述等离子输送管及所述等离子处理部相互电独立,隔断所述等离子发生装置及所述等离子处理部在电的方面对所述等离子输送管的影响。
9.根据权利要求7或8所述的绝缘体夹装型等离子处理装置,其特征在于:所述等离子输送管由连接到所述等离子发生部的等离子直进管、以折曲状连接到所述等离子直进管的第1等离子行进管、在所述第1等离子行进管的终端按相对于其管轴以规定折曲角倾斜配置的方式连接的第2等离子行进管、以及在所述第2等离子行进管的终端以折曲状连接并且从等离子出口将等离子排出的第3等离子行进管构成,以使所述等离子从所述靶表面到达被处理物的总长度L满足900mm≤L≤1350mm的方式进行设定。
10.根据权利要求7、8或9所述的绝缘体夹装型等离子处理装置,其特征在于:所述第2等离子行进管,按几何学的方式被配置在不能从所述第3等离子行进管的等离子出口以直线状透视所述第1等离子行进管的等离子出口侧的位置。
11.根据权利要求9或10所述的绝缘体夹装型等离子处理装置,其特征在于:当从所述第3等离子行进管的等离子入口侧的管截面上端相对于所述第1等离子行进管的等离子出口侧的管截面下端的仰角为θ、从所述第3等离子行进管的等离子出口侧的管截面下端相对于所述第2等离子行进管的等离子出口侧的管截面上端的仰角为θ0时,满足θ≥θ0。
12.根据权利要求8~11中的任何一项所述的绝缘体夹装型等离子处理装置,其特征在于:在所述等离子直进管、所述第1等离子行进管、所述第2等离子行进管及所述第3等离子行进管上分别设有发生等离子输送用磁场的等离子输送用磁场发生单元,在所述第1等离子行进管及/或所述第2等离子行进管上附设有使所述等离子输送用磁场偏向的偏向磁场发生单元,借助于由所述偏向磁场发生单元发生的偏向磁场使等离子流朝管中心侧偏向。
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