[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，尤其是电子电路或电子模块，具有：

至少一个至少包括绝缘层(3)和该绝缘层(3)的一表面侧上至少一个第一金属敷设体(4)的金属-绝缘层-基体(2)，所述金属-绝缘层-基体(2)的第一金属敷设体(4)被结构化为构成金属敷设区域(4.1，4.2)；

所述第一金属敷设体(4)的第一金属敷设区域(4.2)上的至少一个产生损耗热量的电气的或电子的部件(7)；

其中所述第一金属敷设区域(4.2)在与所述部件(7)至少热连接的子区域(4.2.1)上具有的层厚度(D)大于所述第一金属敷设区域(4.2)在所述第一子区域(4.2.1)之外的层厚度(d)；

其特征在于，

所述层厚度(D，d)之差(b)至少等于或者大于所述第一金属敷设区域(4.2)在所述第一子区域(4.2.1)之外的层厚度(d)的一半，并且所述部件(7)相对于所述第一子区域(4.2.1)的边沿的具有(a1)大于等于所述层厚度(D，d)之差(b)。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，

所述至少一个金属敷设区域(4.2)具有阶梯状的变化的层厚度，更确切地说是：具有较大层厚度(D)的所述第一子区域(4.2.1)至少部分地、优选是完全地被具有减小的层厚度(d)的子区域(4.2.2)包围。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，所述第一金属敷设体(4)除了所述至少一个第一金属敷设区域(4.2)之外还具有至少一个结构化的第二金属敷设区域(4.1)，所述第二金属敷设区域(4.1)的层厚度小于所述第一子区域(4.2.1)的层厚度(D)，优选等于所述至少一个第一金属敷设区域(4.2)在第一子区域(4.2.1)之外的层厚度(d)。

4.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，在所述绝缘层(3)的背离所述第一金属敷设体(4)的表面侧上设置有第二金属敷设体(5)，优选是连续的、也就是说不结构化的第二金属敷设体(5)。

5.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，所述第一金属敷设体(4)在所述第一子区域(4.2.1)之外的层厚度和/或所述第二金属敷设体(5)的层厚度为0.5mm到0.8mm。

6.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘层(3)的厚度为0.15mm到1.0mm。

7.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘层是陶瓷层，优选是由Al₂O₃、AlN、Si₃N₄、SiC或者Al₂O₃+ZrO₂构成的陶瓷层。

8.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，被所述部件(7)占据的表面具有5mm²到180mm²的面积，优选为9mm²到150mm²的面积。

9.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，所述第一金属敷设体和/或所述第二金属敷设体由铜构成或者由铜合金构成或者由铝构成或者由铝合金构成。

10.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，产生损耗热量的部件(7)通过焊接或烧结或粘接而与所述第一金属敷设体(4)的第一金属敷设区域(4.2)连接。

11.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘层例如经由所述第二金属敷设体(5)与散热器(10)连接，例如通过DCB键合、焊接、甚至活性焊来连接。

12.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，所述第一金属敷设体(4)的金属敷设区域(4.1，4.2)通过分级腐蚀来产生。

13.根据前述权利要求之一所述的电子器件，其特征在于，所述第一子区域(4.2.1)的层厚度(D)通过敷设附加金属层(4b”)到与所述绝缘层(3)连接的金属层(4’，4b’)、例如通过化学的或电镀的沉积和/或通过激光烧结和/或通过敷设金属薄板而形成。