[发明专利]无镉再发光半导体构造

权利要求书

1.一种半导体构造，其包括：

第一势阱，所述第一势阱用于将具有第一光子能量的光转换为具有更小的第二光子能量的光，所述第一势阱包括第一III-V半导体；以及

窗口，所述窗口具有大于所述第一光子能量的带隙能量，所述窗口包括第一II-VI半导体。

2.根据权利要求1所述的构造，其中所述第一势阱是假晶。

3.根据权利要求1所述的构造，其中所述窗口基本无Cd。

4.根据权利要求1所述的构造，其中所述半导体构造符合RoHS规定。

5.根据权利要求1所述的构造，其中所述具有第一光子能量的光包括UV光、紫光、蓝光和/或绿光。

6.根据权利要求1所述的构造，其中所述具有第二光子能量的光包括红光。

7.根据权利要求1所述的构造，其中所述构造是假晶并设置在包括第二III-V半导体的基板上。

8.根据权利要求7所述的构造，其中所述第二III-V半导体包括GaAs。

9.根据权利要求1所述的构造，其中所述第一III-V半导体包括GaInP或AlGaInP。

10.根据权利要求1所述的构造，其中所述第一II-VI半导体包括BeMgZnSe或BeZnSe。

11.根据权利要求1所述的构造，其中所述第一II-VI半导体包括MgZnSSe或BeZnSSe。

12.根据权利要求1所述的构造，其中所述第一势阱是假晶半导体层的叠堆的组分，所述假晶半导体层的叠堆包括一个或多个吸光层以及任选地一个或多个额外的势阱，并且其中所述半导体层的叠堆的层各自包括AlGaInP。

13.根据权利要求1所述的构造，其中所述第一势阱是假晶半导体层的叠堆的组分，所述假晶半导体层的叠堆包括一个或多个吸光层以及任选地一个或多个额外的势阱，并且其中所述半导体层的叠堆基本无Cd。

14.根据权利要求1所述的构造，所述构造设置在适于发射具有所述第一光子能量的光的光源上。

15.一种发光系统，其包括：

根据权利要求1所述的构造，所述构造设置在适于发射具有所述第一光子能量的光的光源上；以及

第二势阱，所述第二势阱用于将具有第一光子能量的光转换为具有小于所述第一光子能量但大于所述第二光子能量的第三光子能量的光，所述第二势阱包括第二II-VI半导体。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述第二势阱基本无Cd。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述第二势阱是假晶半导体层的叠堆的组分，所述假晶半导体层的叠堆包括一个或多个吸光层以及任选地一个或多个额外的势阱，并且其中所述半导体层的叠堆整体基本无Cd。

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述具有第一光子能量的光包括UV光、紫光和/或蓝光，并且所述具有第三光子能量的光包括绿光。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述第二II-VI半导体包括MgZnSeTe或ZnSeTe。

20.根据权利要求15所述的系统，其中所述第二II-VI半导体包括BeMgZnSe或MgZnSSe。

21.一种发光系统，其包括：

根据权利要求1所述的构造；

光源，所述光源适于发射具有大于所述第一光子能量的第三光子能量的光；以及

第二势阱，所述第二势阱用于将所述具有所述第三光子能量的光转换为所述具有第一光子能量的光，所述第二势阱包括第二II-VI半导体。

22.根据权利要求21所述的系统，其中所述第二势阱基本无Cd。

23.根据权利要求21所述的系统，其中所述第二势阱是假晶半导体层的叠堆的组分，所述假晶半导体层的叠堆包括一个或多个吸光层以及任选地一个或多个额外的势阱，并且其中所述半导体层的叠堆整体基本无Cd。