[发明专利]控制III氮化物器件中的凹坑形成有效
| 申请号： | 201080029720.0 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102473796A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | S.李;N.F.加特纳;Q.L.叶 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;刘鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 iii 氮化物 器件 中的 形成 | ||
1.一种器件，包括：
半导体结构，包括：
III氮化物发光层，其设置在n型区与p型区之间；以及
多个层对，设置在n型区和p型区中的一个内，每个层对包括：
InGaN层；以及
与InGaN层直接接触的凹坑填充层，其中，凹坑填充层是GaN、AlGaN、AlInGaN和AlInN中的一个。
2.权利要求1的器件，其中，每个凹坑填充层是GaN。
3.权利要求1的器件，其中，每个凹坑填充层是AlGaN。
4.权利要求3的器件，其中，每个凹坑填充层具有在3%和10%之间的AlN成分。
5.权利要求1的器件，其中，每个凹坑填充层是AlInGaN。
6.权利要求5的器件，其中，每个凹坑填充层具有在3%和10%之间的AlN成分。
7.权利要求1的器件，其中，每个InGaN层具有在3%和10%之间的InN成分。
8.权利要求1的器件，其中，每个InGaN层具有在100和500nm之间的厚度。
9.权利要求1的器件，其中，每个凹坑填充层具有在10和50nm之间的厚度。
10.权利要求1的器件，还包括设置在层对中的一个中的InGaN层的顶表面上的多个凹坑，其中，InGaN层的顶表面上的多个凹坑的尺寸大于设置在同一层对中的凹坑填充层的顶表面上的多个凹坑的尺寸。
11.权利要求1的器件，其中，在半导体结构中包括在2和50个之间的层对。
12.权利要求1的器件，其中，部分发光层和p型区被去除以使部分n型区暴露，该器件还包括：
设置在p型区上的第一金属接触；以及
设置在n型区上的第二金属接触；
其中，第一金属接触和第二金属接触设置在半导体结构的同一侧上。
13.权利要求1的器件，其中，每个凹坑填充层是基本上单晶层。
14.一种方法，包括：
生长半导体结构，该半导体结构包括：
III氮化物发光层，设置在n型区与p型区之间；以及
多个层对，设置在n型区和p型区中的一个内，每个层对包括：
InGaN层；以及
与InGaN层直接接触的凹坑填充层，其中，凹坑填充层是GaN、AlGaN、AlInGaN和AlInN中的一个。
15.权利要求14的方法，还包括在大于900℃的温度下生长每个凹坑填充层。
16.权利要求14的方法，还包括在920℃和1060℃之间的温度下生长每个凹坑填充层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司，未经飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080029720.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
