[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201080029758.8 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN102473768A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 李东根 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;林锦辉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括:

多个后电极图案,被安置在衬底上并且彼此隔开;

光吸收层,在所述后电极图案上;

前电极,在所述光吸收层上;

互连部,该互连部是穿过所述光吸收层的所述前电极的一部分并且与所述后电极图案电连接;

分隔图案,穿过所述光吸收层和所述前电极,用于限定单元电池;以及

虚设层,在所述互连部和所述分隔图案之间,

其中,所述虚设层的上表面低于所述前电极的上表面。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,进一步包括第一缓冲层和被安置在所述第一缓冲层上的第二缓冲层,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层被安置在所述光吸收层和所述前电极之间,并且

其中,所述虚设层包括堆叠的所述光吸收层、所述第一缓冲层和所述第二缓冲层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中,所述虚设层的所述第二缓冲层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案被露出。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中,所述前电极覆盖所述虚设层的所述第二缓冲层的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,进一步包括第一缓冲层和被安置在所述第一缓冲层上的第二缓冲层,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层被安置在所述光吸收层和所述前电极之间,并且

其中,所述虚设层包括堆叠的所述光吸收层和所述第二缓冲层。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中,所述虚设层的所述第一缓冲层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案被露出。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中,所述第二缓冲层和所述前电极覆盖所述虚设层的所述第一缓冲层的至少一部分。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中,所述互连部包括堆叠的所述第二缓冲层和所述前电极。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述分隔图案的靠近所述前电极的上部比所述分隔图案的靠近所述后电极图案的下部宽。

10.一种太阳能电池,包括:

多个后电极图案,被安置在衬底上并且彼此隔开;

在后电极图案上的光吸收层、第一缓冲层和第二缓冲层;

前电极,在所述第二缓冲层上;

互连部,该互连部是所述第二缓冲层和所述前电极的穿过所述光吸收层和所述第一缓冲层的部分,并且与所述后电极图案电连接;以及

分隔图案,穿过所述光吸收层、所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述前电极,用于限定单元电池;

其中,所述互连部包括堆叠的所述第二缓冲层和所述前电极。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述互连部的所述第二缓冲层被安置在所述后电极图案和所述前电极之间。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,虚设层由在所述互连部和所述分隔图案之间堆叠的所述光吸收层和所述第一缓冲层形成,

其中,所述虚设层的所述第一缓冲层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案被露出。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,虚设层通过堆叠的所述光吸收层和所述第一缓冲层形成在所述互连部和所述分隔图案之间,

其中,所述前电极覆盖所述虚设层的所述第一缓冲层的一部分。

14.一种太阳能电池的制造方法,包括:

在衬底上形成彼此隔开多个后电极图案;

在形成所述后电极图案的所述衬底上形成光吸收层和第一缓冲层;

形成穿过所述光吸收层和所述第一缓冲层的接触图案和分隔图案;以及

通过使用掩膜覆盖虚设层和所述分隔图案,在所述衬底的前表面上形成前电极,所述虚设层包括所述光吸收层和所述第一缓冲层的被安置在所述接触图案和所述分隔图案之间的部分,

其中,在形成所述前电极之后,所述虚设层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案露出。

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