[发明专利]用于纯化三氯甲硅烷的方法和设备有效
申请号: | 201080029762.4 | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102471074A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 崔喆焕;李政锡;崔光郁;申俊浩;金东奎 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 黄丽娟;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 纯化 三氯甲 硅烷 方法 设备 | ||
1.一种用于纯化三氯甲硅烷的方法,该方法包括:
进行预处理,该预处理用于从三氯甲硅烷制备反应的反应产物中分离出包含三氯甲硅烷和四氯甲硅烷作为主要成分的氯硅烷混合物;
进行第一纯化,该第一纯化用于将上述氯硅烷混合物分离成包含微量杂质和三氯甲硅烷混合物的第一顶部物流,以及包含四氯甲硅烷作为主要成分的第一底部物流;
进行第二纯化,该第二纯化用于将第一顶部物流分离成包含微量低沸点杂质和三氯甲硅烷混合物的第二顶部物流,以及包含微量高沸点杂质和三氯甲硅烷混合物的第二底部物流;和
进行第三纯化,该第三纯化用于将第二底部物流分离成包含三氯甲硅烷作为主要成分的第三顶部物流,以及包含微量高沸点杂质和三氯甲硅烷混合物的第三底部物流,
其中,进行第三纯化是在比进行第二纯化更高的压力条件下进行的,且在第二底部物流和第三顶部物流之间产生热交换。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述进行第三纯化在比进行第二纯化高0.5~100atm的压力条件下进行。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述进行第二纯化是在1~10atm的压力条件下进行的,且所述进行第三纯化是在1.5~100atm的压力条件下进行的。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二底部物流和所述第三顶部物流的温度差为5~200℃。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二底部物流的温度为40~120℃,和所述第三顶部物流的温度为60~250℃。
6.一种用于纯化三氯甲硅烷的设备,该设备包括预处理塔、第一纯化塔、第二纯化塔和第三纯化塔,
其中,第三纯化塔的内压力保持在比第二纯化塔的内压力高,和
所述设备包括热交换器,该热交换器用于在第三纯化塔的顶部物流和第二纯化塔的底部物流之间进行热交换。
7.根据权利要求6所述设备,其中,所述第三纯化塔的内压力保持在比所述第二纯化塔的内压力高0.5~100atm。
8.根据权利要求6所述设备,其中,所述第二纯化塔的内压力为1~10atm,且所述第三纯化塔的内压力为1.5~100atm。
9.根据权利要求6所述设备,其中,所述第三纯化塔的顶部物流与所述第二纯化塔的底部物流的温度差为5~200℃。
10.根据权利要求6所述设备,其中,所述第三纯化塔的顶部物流的温度为60~250℃,且所述第二纯化塔的底部物流的温度为40~120℃。
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