[发明专利]金属层压构件和制造所述金属层压构件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及金属层压构件和制造所述金属层压构件的方法。

背景技术

发光二极管(LED)器件和类似的半导体器件通常设置有用于外部辐射在驱动半导体元件时产生的热的辐射衬底(散热器)。

例如，专利文献1(日本特开平6-268115号公报)公开了，制备通过压延以具有200mm直径和0.465mm厚度而形成的Cu板以及具有与所述Cu板相同的直径和0.090mm厚度的Mo板，且依次布置Cu板、随后Mo板且随后另一个Cu板并对其进行热压以提供1.02mm厚的Cu/Mo/Cu覆层材料，然后将其用作半导体器件的辐射衬底(例如，参见专利文献1，段落[0034]-[0049])。

此外，专利文献1还描述了也可以使用其中将Mo替换为W的类似方法来获得显著可靠的覆层材料(参见专利文献1，段落[0033])。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本特开平6-268115号公报

发明内容

技术问题

然而，专利文献1的辐射衬底显著厚至1.02mm且其不能满足薄辐射衬底的需要。

此外，Mo板和W板在它们能被压延到的最小厚度方面受到限制，因此也难以降低辐射衬底的总厚度。

此外，每当制造覆层材料时将Cu板和Mo板装载到热压装置中，对所述板进行热压，然后将所述覆层材料取出不能有效地制造辐射衬底。

考虑到上述情况，本发明设计了厚度可以减小且可以有效制造的金属层压构件及其制造方法。

问题的解决方案

本发明为一种层压构件，其包含第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层布置在所述第二金属层的一个表面上，所述第三金属层布置在所述第二金属层的另一个表面上，所述第一金属层包含钨和钼中的至少一种，所述第二金属层包含铜，所述第三金属层包含钨和钼中的至少一种。

在本文中，在本发明的金属层压构件中，优选地，所述第一金属层通过镀敷形成在所述第二金属层的所述一个表面上，且所述第三金属层通过镀敷形成在所述第二金属层的所述另一个表面上。

此外，在本发明的金属层压构件中，优选地，所述第一金属层和所述第三金属层的厚度和对所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的厚度和的比率不小于0.2且不大于0.8。

此外，本发明的金属层压构件还包含：第四金属层，其布置在与所述第一金属层的设置有所述第二金属层的一侧相反的所述第一金属层的另一侧上；和第五金属层，其布置在与所述第三金属层的设置有所述第二金属层的一侧相反的所述第三金属层的另一侧上，其中所述第四金属层和所述第五金属层包含铜。

此外，在本发明的金属层压构件中，优选地，所述第一金属层和所述第三金属层的厚度和对所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层、所述第四金属层和所述第五金属层的厚度和的比率不小于0.2且不大于0.8。

此外，本发明的金属层压构件包含在所述第一金属层与所述第四金属层之间的位置和所述第三金属层与所述第五金属层之间的位置中的至少一个位置处的含钴层。

此外，在本发明的金属层压构件中，优选地，所述含钴层的厚度不小于0.05μm且不大于3μm。

此外，本发明的金属层压构件的总厚度优选不小于20μm且不大于400μm。

此外，本发明的金属层压构件优选用于散热器。

此外，本发明为制造如上所述的金属层压构件的方法，其包括：通过镀敷将所述第一金属层布置在所述第二金属层的一个表面上的步骤；和通过镀敷将所述第三金属层布置在所述第二金属层的另一个表面上的步骤。

在本文中，在制造金属层压构件的本发明方法中，优选地，所述镀敷为熔融盐浴镀敷。

发明效果

本发明因此可以提供厚度可以减小且可以有效制造的金属层压构件及其制造方法。

附图说明

图1为本发明的金属层压构件的实例的示意性横截面图。

图2示意性地显示了用于说明制造本发明的金属层压构件的方法的实例的构造。

图3示意性地显示了用于说明制造本发明的金属层压构件的方法的实例的构造。

图4为LED器件的实例的示意性横截面图，所述LED器件为使用本发明的金属层压构件的半导体器件的实例。

图5为本发明的金属层压构件的另一实例的示意性横截面图。

图6示意性地显示了用于说明制造本发明的金属层压构件的方法的实例的构造。