[发明专利]使用束扫描以提高二维机械扫描注入系统的均匀性和生产率

权利要求书

1.一种离子注入系统，包括：

束线，所述束线被构造成朝向端站引导离子束，所述端站被构造成保持或支撑工件；

扫描系统，所述扫描系统被构造成以二维方式使所述端站扫描通过所述离子束，所述端站被构造成保持或支撑所述工件，所述二维方式包括沿第一方向的第一扫描轴线和沿不同于所述第一方向的第二方向的第二扫描轴线；和

补充扫描部件，所述补充扫描部件能够操作以与所述扫描系统相关联，并且所述补充扫描部件被构造成相对于所述端站沿具有第三方向的第三扫描轴线执行所述离子束的扫描，所述第三方向不同于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述补充扫描部件包括静电扫描仪，所述静电扫描仪被构造成响应于时变静电场沿第三扫描轴线来回移动离子束。

3.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述补充扫描部件包括磁扫描仪，所述磁扫描仪被构造成响应于时变磁场沿第三扫描轴线来回移动所述离子束。

4.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中所述扫描系统被构造成沿第一扫描轴线以第一扫描速率在第一方向上以大于所述工件的直径的距离的方式扫描所述工件，并且还被构造成沿所述第二扫描轴线以第二扫描速率在所述第二方向上以大于所述工件的直径的距离的方式扫描所述工件，其中所述第一扫描速率比第二扫描速率快。

5.根据权利要求4所述的离子注入系统，其中，所述扫描系统被构造成在工件沿第二扫描方向的单个扫描期间、在工件的单个扫描期间沿第一扫描方向来回扫描所述工件多次，从而限定沿第一扫描轴线的两个相邻扫描之间的间距，并且其中所述补充扫描部件被构造成相对于所述工件在所述第三方向上以小于相邻扫描之间的所述间距的方式扫描所述离子束。

6.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述补充扫描部件被构造成沿所述第三扫描轴线来回振动所述离子束，其中所述第三扫描轴线横过所述第一扫描轴线。

7.根据权利要求6所述的离子注入系统，其中，所述扫描系统沿所述第一扫描轴线的扫描频率是第一频率，而沿所述第三扫描轴线振动的所述离子束的振动频率是第二频率，并且其中所述第二频率大于所述第一频率。

8.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述补充扫描部件被构造成沿所述第三扫描轴线以非线性速率扫描所述离子束。

9.一种离子注入系统，包括：

束线，所述束线被构造成朝向端站引导离子束，所述端站被构造成保持或支撑工件；

扫描系统，所述扫描系统被构造成以二维方式使所述端站扫描通过所述离子束，所述端站被构造成保持或支撑所述工件，其中所述扫描系统在作为快扫描方向的第一方向上和在作为慢扫描方向的不同于所述第一方向的第二方向上平移所述端站；和

补充扫描部件，所述补充扫描部件位于所述扫描系统上游，并被构造成在不同于所述第一方向的第三方向上振动所述离子束，从而在所述扫描系统沿作为所述快扫描方向的所述第一方向上平移所述端站时增加所述离子束的实际尺寸。

10.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，由于所述端站被逐行扫描通过所述离子束，因而所述工件上的沿所述第一方向的相邻扫描路径之间的距离被限定为间距，并且其中所述补充扫描部件沿所述第三方向振动所述离子束的距离小于所述间距。

11.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。

12.根据权利要求11所述的离子注入系统，其中，所述第二方向和所述第三方向相同。

13.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中所述扫描系统在作为快扫描方向的第一方向上的扫描频率包括第一频率，而所述离子束在所述第三方向上的振动的频率包括第二频率，其中所述第二频率大于所述第一频率。

14.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述补充扫描部件包括静电扫描仪，所述静电扫描仪被构造成响应于时变静电场沿第三扫描轴线来回振动所述离子束。

15.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述补充扫描部件包括磁扫描仪，所述磁扫描仪被构造成响应于时变磁场沿第三扫描轴线来回振动所述离子束。