[发明专利]高生产率多孔半导体制造设备

权利要求书

1.一种用于在多个半导体晶圆上制造多孔半导体层的设备，包括：

用于产生电流的第一电极和第二电极；

以堆叠布置的多个半导体晶圆，其中每个所述半导体晶圆通过一围绕所述半导体晶圆设置的边缘晶圆密封保持在原位，其中所述堆叠布置可以相对于垂直方向成任何角度；

向所述设备提供电解质的电解质供给端；以及

设置在每个所述多个半导体晶圆之间的多个电解质通道或电解质隔室，用于向每个所述半导体晶圆的至少一表面提供所述电解质以及用于从所述表面移除气体。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个半导体晶圆包括多个硅晶圆。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个半导体晶圆包括多个正方形半导体晶圆或多个类似正方形的半导体晶圆。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个半导体晶圆包括多个大致圆形的半导体晶圆。

5.根据权利要求1所述的设备，其中可操作所述第一电极和所述第二电极，以在预定时间段后交换或调整电流和电压极性至少一个周期。

6.根据权利要求5所述的设备，其中可操作所述第一电极和所述第二电极，以产生多个预定水平的所述电流，用于制造具有不同孔隙度的多层。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述多个预定水平包括一组用于多层孔隙度的离散水平。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述多个预定水平包括用于分级的孔隙度的连续水平。

9.根据权利要求1所述的设备，其中每个所述晶圆密封包括一致的边缘密封，其用于配合晶圆直径和晶圆厚度的范围。

10.一种用于在多个半导体晶圆上制造多孔半导体层的设备，包括：

用于产生电流的第一电极和第二电极；

以堆叠布置的多个半导体晶圆阵列，其中每个所述半导体晶圆通过一围绕所述半导体晶圆设置的边缘晶圆密封保持在原位，以及其中所述堆叠布置可以相对于垂直方向成任何角度；

向所述设备提供电解质的电解质供给端；以及

设置在每个所述多个半导体晶圆阵列之间的多个电解质通道或电解质隔室，用于向每个所述半导体晶圆的至少一表面提供所述电解质，以及用于从所述表面移除气体。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述多个半导体晶圆阵列的每个所述半导体晶圆包括正方形半导体晶圆或类似正方形的半导体晶圆。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述多个半导体晶圆阵列的每个所述半导体晶圆包括基本为圆形的半导体晶圆。

13.根据权利要求10所述的设备，其中可操作所述第一电极和所述第二电极，以在预定时间段后交换或调整电流和电压极性至少一个周期。

14.根据权利要求13所述的设备，其中可操作所述第一电极和所述第二电极，以产生多个预定水平的所述电流，用于制造具有不同孔隙度的多层。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述多个预定水平包括一组用于多层孔隙度的离散水平。

16.根据权利要求14所述的设备，其中所述多个预定水平包括用于分级的孔隙度的连续水平。

17.根据权利要求10所述的设备，其中每个所述晶圆密封包括一致的边缘密封，其用于配合晶圆直径和晶圆厚度的范围。

18.一种用于在多个半导体晶圆上制造多孔半导体层的方法，所述方法包括：

在第一矩形阵列中布置第一组多个半导体晶圆；

在第二矩形阵列中布置第二组多个半导体晶圆，其中所述第一矩形阵列和所述第二矩形阵列本质上具有相同的规格；

将所述第一矩形阵列置于所述第二矩形阵列上方；

供应电解质，用于接触所述第一组多个半导体晶圆的每个半导体晶圆的至少一个表面，以及接触所述第二组多个半导体晶圆的每个半导体晶圆的至少一个表面；

将第一电极和第二电极放置在所述电解质中；以及

向所述第一电极和所述第二电极供应电流。