[发明专利]转换剂体、光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于光电子半导体芯片(1)的转换剂体(5)，其具有

-基质材料(50)，以及

-转换剂颗粒(55)，其被嵌入到基质材料(50)中，

其中，

-基质材料(50)未完全硬化和/或交联，以及

-转换剂体(5)在室温下具有在邵氏A0到邵氏A35之间的硬度，其中包括边界值，和/或在10Pa·S到150Pa·S之间的粘度，其中包括边界值。

2.根据前一权利要求所述的转换剂体(5)，

其中基质材料(50)包含硅树脂或者是硅树脂。

3.根据前述权利要求之一所述的转换剂体(5)，

其中基质材料(50)能够以热学方式完全交联和/或硬化并且硬化时间为至少10min。

4.根据前述权利要求之一所述的转换剂体(5)，

其没有触变剂。

5.根据前述权利要求之一所述的转换剂体(5)，

其中转换剂颗粒(55)的重量比例在20％到75％之间、尤其在55％到70％之间，其中包括边界值。

6.一种光电子半导体芯片(1)，其具有

-带有至少一个有源层的半导体层序列(3)，以及

-带有基质材料(50)的一体式的转换剂体(5)，转换剂颗粒(55)被嵌入该基质材料(50)中，

其中，

-转换剂体(5)与半导体层序列(3)直接接触并且以无连接剂的方式安置在半导体层序列(3)上，以及

-转换剂体(5)的硬度为至少邵氏A30和至多邵氏D80。

7.根据前一权利要求所述的光电子半导体芯片(1)，

其中转换剂体(5)的横向尺寸在300μm到3mm之间，其中包括边界值，并且转换剂体(5)具有在20μm到125μm之间的厚度，其中包括边界值。

8.根据权利要求6或7所述的光电子半导体芯片(1)，

其中半导体层序列(3)的辐射穿透面(32)和边缘(34)分别被转换剂体(5)覆盖至少90％。

9.根据权利要求6至8之一所述的光电子半导体芯片(1)，

其中转换剂体(5)形状配合地施加在半导体层序列(3)的至少一个边界面(32，34)上。

10.根据权利要求6至9之一所述的光电子半导体芯片(1)，

其中转换剂体(5)被一个或者多个电接触结构(5)穿透。

11.用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，其具有以下步骤：

-提供具有至少一个有源层的半导体层序列(3)，

-提供具有基质材料(50)的一体式的转换剂体(5)，转换剂颗粒(55)被嵌入所述基质材料(50)中，其中所述基质材料(50)未完全交联和/或硬化，并且其中转换剂体(5)在室温下具有在邵氏A0到邵氏A35之间的硬度，其中包括边界值，和/或在10Pa·S到150Pa·S之间的粘度，其中包括边界值，

-将转换剂体(5)施加到半导体层序列(3)上，使得其彼此直接接触，以及

-使转换剂体(5)硬化，其中在硬化之后，转换剂体(5)的硬度为至少邵氏A30和至多邵氏D80。

12.根据前一权利要求所述的方法，

其中转换剂体(5)被施加在支承膜(8)上并且被遮盖膜(9)覆盖，并且其中至少支承膜(8)在紫外和在蓝色光谱区域中是至少部分透射辐射的。