[发明专利]装载发光元件用陶瓷基体

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于载置LED等的发光元件的装载发光元件用陶瓷基体。

背景技术

近年来，作为可大量生产的高亮度、消耗电力少的发光元件，LED(发光二极管)备受关注。而且，作为一般照明用的光源或者电光显示板用的光源、进而作为手机、电脑及电视机等使用液晶的图像显示装置的背光源被广泛利用。

对于用于装载这样的发光元件的基体，追求在表面上形成电极所需的绝缘性。另外，对于在基体上涂敷反射材料的类型，由于反射材料经时变化而变色导致反射率降低，或由于发光元件的散热而反射材料会从基体脱落等不良现象容易产生，从而追求基体自身具有高反射率。

对于这样的要求，在专利文献1中，公开了作为装载发光元件用的陶瓷基体，使用氮化铝烧结体。

另外，在专利文献2中，作为反射光用材料，提案有一种氧化铝的含量为74.6～100质量％的范围，作为其它成分包含碳酸钡，烧结后的平均粒子径为2.5μm以下的74.6质量％的氧化铝的发光元件收纳封装。

另外，在专利文献3中，公开了一种半导体发光元件用的高反射白色陶瓷基板由氧化铝和玻璃材质成分构成，气孔率为5％以下的高反射白色陶瓷。进而公开了一种由氧化铝和玻璃材质成分构成，氧化铝的含有率为75～85重量％，作为玻璃材质成分含有二氧化硅、钙、镁及钡，氧化铝的结晶粒径为0.5μm以下的高反射白色陶瓷。

另外，在专利文献4中，公开了在将围绕发光元件装载部的框体的厚度设为0.8mm以上，该框体由氧化铝材质的烧结体构成的情况下，氧化铝含有率为90～99重量％，SiO₂、MgO及CaO的合计的含量为1～10重量％时，能够使得波长400～700nm的光的反射率为80％以上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)国际公开第2007/034955号手册

专利文献2：(日本)国际公开第2007/058361号手册

专利文献3：(日本)特开2007-284333号公报

专利文献4：(日本)特开2004-207678号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在专利文献1中公开的由氮化铝构成的装载发光元件用陶瓷基体并未公开从可见光的长波长到红外线区域的反射率，进而，存在主成分即氮化铝昂贵的问题。

另外，在专利文献2中公开的发光元件收纳封装存在氧化铝为100质量％时，烧结温度变高的问题。进而，残存有当为了降低烧结温度，作为添加剂而加入的碳酸钡的量变多时，成本变高的问题。

进而，在专利文献3中公开的半导体发光元件用的高反射白色陶瓷基板虽然可以得到波长为450～750nm的反射率为90％以上，但是如实施例所示，残存有因包含3重量％的昂贵的钡，所以成本变高的问题。

另外，在专利文献4中公开的发光元件收纳用封装，并未就用于该封装的陶瓷的反射率起因于陶瓷内部的气孔做出记载。

本发明是为了解决上述课题而创立的，其目的在于提供一种实现成为基体的陶瓷烧结体的低成本化，得到作为发光元件装载用的基体的高反射率的装载发光元件用陶瓷基体。

解决问题的手段

本发明提供一种装载发光元件用陶瓷基体，其包含氧化铝、氧化硅以及氧化钙及氧化镁中的至少一种，所述氧化铝的含量为94质量％以上97质量％以下，其特征在于，在基体的表面的9.074×10⁵μm²的表面积的部分，在对圆当量直径为0.8μm以上的气孔进行观察时，气孔率为2.5％以上4.5％以下，气孔数为7000个以上11000个以下，气孔分布中的圆当量直径为1.6μm以下的累积相对频率为70％以上。

发明效果

根据本发明的装载发光元件用陶瓷基体，本发明为包含94质量％以上97质量％以下的含量的氧化铝，并含有氧化硅、以及氧化钙及氧化镁中的至少一种的基体，在该基体的表面的9.074×10⁵μm²的表面积的部分，在对圆当量直径为0.8μm以上的气孔进行观察时，气孔率为2.5％以上4.5％以下，气孔数为7000个以上11000个以下，气孔分布中的圆当量直径为1.6μm以下的累积相对频率为70％以上，因此，即便来自发光元件的光未在基体的表面上反射，而向基体的内部入射，由于具有示出上述气孔率、气孔数、气孔分布的气孔，使基体内部的反射光增加，所以能够容易地提升基体的反射率。

附图说明