[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的金属膜；

蚀刻所述金属膜以在所述氧化物半导体层中形成暴露区域且在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层；

在含有氧元素的气体存在下对所述暴露区域进行等离子体处理；和

在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上形成与所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层接触的氧化物绝缘膜，

其中进行所述蚀刻以使得所述氧化物半导体层的暴露区域的厚度小于用所述源电极层或所述漏电极层覆盖的所述氧化物半导体层的区域。

2.权利要求1的方法，

其中所述氧化物半导体层包含铟、锌、氧和选自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金属。

3.权利要求1的方法，

其中所述氧化物半导体层具有由InMO₃(ZnO)_m表示的组成，

其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金属，且

其中m大于0。

4.权利要求1的方法，

其中所述气体选自氧气、氧化氮气体和二氧化氮气体。

5.权利要求1的方法，还包括加热处理步骤，

其中自所述等离子体处理进行所述加热处理步骤直至形成所述氧化物绝缘膜。

6.权利要求1的方法，

其中所述氧化物绝缘膜包含硅。

7.权利要求1的方法，

其中所述暴露区域的侧面与所述源电极层和所述漏电极层的至少一个侧面位于相同的平面上。

8.权利要求1的方法，

其中进行所述蚀刻以使得整个所述氧化物半导体层覆盖所述栅电极层的一部分。

9.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的金属膜；

蚀刻所述金属膜以在所述氧化物半导体层中形成暴露区域且在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层；

将所述衬底引入反应室中；

将所述衬底放置所述反应室中，将含有氧元素的气体引入所述反应室中；

将所述衬底放置所述反应室中，在所述气体存在下在所述反应室中产生等离子体，

在所述反应室中在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上形成与所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层接触的氧化物绝缘膜，

其中进行所述蚀刻以使得所述氧化物半导体层的暴露区域的厚度小于用所述源电极层或所述漏电极层覆盖的所述氧化物半导体层的区域。

10.权利要求9的方法，

其中所述氧化物半导体层包含铟、锌、氧和选自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金属。

11.权利要求9的方法，

其中所述氧化物半导体层具有由InMO₃(ZnO)_m表示的组成，

其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mo和Co的金属，且

其中m大于0。

12.权利要求9的方法，

其中所述气体选自氧气、氧化氮气体和二氧化氮气体。

13.权利要求9的方法，还包括加热处理步骤，

其中所述加热处理步骤在将所述衬底引入所述反应室中之后进行直至完成所述氧化物绝缘膜的形成。

14.权利要求9的方法，

其中所述氧化物绝缘膜包含硅。