[发明专利]用于选择性移除沉积膜的多孔剥离层有效
申请号: | 201080030559.9 | 申请日: | 2010-05-07 |
公开(公告)号: | CN102460657A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | E.M.萨克斯;A.M.加博尔 | 申请(专利权)人: | 1366科技公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/00;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;卢江 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 选择性 沉积 多孔 剥离 | ||
相关文件
在此要求标题为POROUS LIFT-OFF LAYER FOR SELECTIVE REMOVAL OF DEPOSITED FILMS、以Emanuel M. Sachs和Andrew M. Gabor的名义、于2009年5月8日提交的美国临时申请序列号61/215,671的优先权,该申请在此全文引用作为参考。
特定的处理方案与架构公开在标题为SOLAR CELL WITH TEXTURED SURFACES、于2008年2月15日提交、以Emanuel M. Sachs、James F. Bredt与麻省理工学院的名义、指定美国且也要求如下两件美国临时申请优先权的专利合作条约申请号PCT/US2008/002058:US 60/901,511(于2007年2月15日提交)以及US 61/011,933(于2007年1月23日提交)。以上所有PCT及两件美国临时申请案在此全文引用作为参考。这些申请所公开的技术在此引用时合称为自我校准电池(Self Aligned Cell,SAC)技术。
于2009年4月17日提交、以Andrew M. Gabor、Richard L. Wallace与1366科技公司的名义、标题为METHOD TO PATTERN DIFFUSION LAYERS IN SOLAR CELLS AND SOLAR CELLS MADE BY SUCH METHODS的共同受让的PCT申请PCT/US2009/02422公开以下讨论的特定结构,而PCT/US2009/02422所有公开内容在此全文引用作为参考。
用于向表面提供包含材料的液体的特定处理方案已讨论于于2010年1月6日提交、以Emanuel M. Sachs、Richard L. Wallace、James F. Bredt、Benjamin F. Polito、Ali Ersen与1366科技公司的名义、标题为DISPENSING LIQUID CONTAINING MATERIAL TO PATTERNED SURFACES USING A DISPENSING TUBE、指定美国并且要求标题为DISPENSING LIQUID CONTAINING MATERIAL TO PATTERNED SURFACES USING A CAPILLARY DISPENSING TUBE、于2009年1月6日提交的美国临时申请61/204,382的优先权的PCT申请PCT/US2010/020245。该PCT与临时申请两者皆在此全文引用作为参考。
背景技术
在太阳能电池制作时,在一些情况下会想要具有内含有开孔的电介质膜。举例而言,在晶态硅的晶片上制作太阳能电池时,会于该电池的前面(向阳面)上使用诸如氮化硅的电介质,作为抗反射涂层和钝化表面。然后在电池上沉积金属化。该金属化必须接触硅本身。所以在膜中必须有开孔,使得金属能够接触到硅。一种常见的制程是使用如下银膏,所述银膏在它们中具有会与电介质反应的化学熔块以在该电介质中蚀刻出孔洞,金属可通过该孔洞进行接触。但是一些金属化的方法无法具有此种反应成分,因此在金属化之前,该电介质就必须进行开孔。
另一种也是在晶态硅光伏学领域的例子是在背向太阳的电池的背面上。高性能的背面接触通常是基于已沉积电介质膜然后沉积金属层的结构。类似地,该金属必须通过电介质膜以接触到硅,但是只占总面积的小的百分比。例如,所使用的一种技术称为激光烧着接触(Laser Fired Contact,LFC)技术。在晶片的背面上生长氧化物膜、蒸镀铝、然后使用激光迅速且局部加热数百个点,以将铝液化、通过氧化物反应、且与下面的硅进行接触。举例来说,个体接触的尺寸典型接近50微米,相隔接近500微米。另一种产生高性能背面结构的方法为沉积电介质膜然后利用激光烧蚀在该膜中开孔洞。沉积金属层,且该金属层通过由激光开的孔洞而进行接触。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造