[发明专利]III族金属氮化物单晶的制造方法

权利要求书

1.一种III族金属氮化物单晶的制作方法，该方法包括：在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜，此时在基板上形成没有被所述晶种膜覆盖的非育成面的晶种膜制作步骤；和通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶的育成步骤，其特征在于，

所述多个晶种膜由所述非育成面相互分开，且至少在两个方向上排列，所述晶种膜的最大内切圆直径为50μm以上、6mm以下，所述晶种膜的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，所述非育成面的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。

2.如权利要求1所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，所述晶种膜的最大内切圆直径为50μm以上、1mm以下，所述晶种膜的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，所述非育成面的最大内切圆直径为200μm以上、1mm以下。

3.如权利要求1所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，所述晶种膜的最大内切圆直径为50μm以上、500μm以下，所述晶种膜的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，所述非育成面的最大内切圆直径为200μm以上、1mm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，在所述晶种膜制作步骤中，在所述基板中形成凹部，在凹部形成所述非育成面。

5.如权利要求1～4中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，所述晶种膜的一个以上为三角形或大致三角形。

6.如权利要求1～4中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，所述晶种膜的一个以上为四边形或大致四边形。

7.如权利要求1～4中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，所述晶种膜的一个以上为圆形或大致圆形。

8.如权利要求1～4中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，所述晶种膜的一个以上为椭圆形或大致椭圆形。

9.如权利要求1～8中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，所述育成步骤中，使得从相邻的所述晶种膜成长的III族金属氮化物单晶的a面相互聚结。

10.如权利要求1～9中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，育成的所述III族金属氮化物单晶为氮化镓单晶或氮化铝单晶。

11.如权利要求1～10中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，构成所述晶种膜的所述III族金属氮化物单晶为氮化镓单晶、氮化铝单晶或氮化铝-氮化镓固溶体结晶。

12.如权利要求1～11中任一项所述的III族金属氮化物单晶的制作方法，其特征在于，将所述育成的III族金属氮化物单晶从所述晶种膜自然剥离。