[发明专利]滤波器电路以及包括该滤波器电路的光盘装置

说明书

技术领域

本发明涉及滤波器电路，尤其涉及由场效应晶体管构成的电流模式滤波器电路与将该电流模式滤波器电路设置在信号处理路径中的光盘装置。

背景技术

滤波器电路是构成各种信号处理系统的必需功能模块，特别是，模拟滤波器电路在模拟/数字混装的LSI中，承担着模拟-数字变换前的信号波形整形和用于防止假频(alias)的高频噪声去除等重要作用。特别是，在从数十MHz到数百MHz的信号频带中，一般采用由跨导(transconductance)电路(以下称为Gm电路)与电容元件构成的Gm-C滤波器。

但是，Gm-C滤波器如非专利文献1和非专利文献2所述的那样，

1、构成滤波器的Gm电路所具有的寄生极与滤波器的电极接近，因此尤其难以实现高频域中的正确的频率特性。

2、在近年来的细微化的低电压动作的数字CMOS工艺中，存在着在以电压模式动作的Gm-C滤波器中难以确保较宽的动态范围和线形性的问题。

为了解决这些问题，在非专利文献1和非专利文献2中，提出了以电流模式动作的滤波器电路。在非专利文献1中，如该文献中的图2(a)所示那样，用反馈输出电流的方法实现，而在非专利文献2中，如该文献中的图8所示那样，通过在栅极接地镜像电路中附加电容元件来实现滤波器电路，与非专利文献1相比用较少的元件数实现电路。此处，对与本发明的结构相近的非专利文献2所述的滤波器电路，详细地进行说明。图15中示出非专利文献2所述的电流模式滤波器的结构。在图15的电流模式滤波器中，N沟道晶体管M200、M203构成电流镜对，分别由来自电流源的偏置电流Ib0驱动。另外，栅极由定电压Vb0固定的作为栅极接地电路起作用并且由偏置电流Ic0驱动的P沟道晶体管M201的源极连接到N沟道晶体管M200的漏极，P沟道晶体管M201的漏极连接到N沟道晶体管M200的栅极，据此N沟道晶体管M200与P沟道晶体管M201构成负反馈环路。进而，电容元件Ci、Cg分别连接到N沟道晶体管M200的漏极与栅极。此时，假设N沟道晶体管M200、M203以及P沟道晶体管M201在饱和区域中动作，则其跨导(以下称为gm)能够用下式近似。

[数学式1]

gmn=2·βn·Ib0]]>········(式1)

[数学式2]

gmp=2·βp·Ic0]]>········(式2)

此处，gmn表示N沟道晶体管M200、M203的gm，gmp表示P沟道晶体管M201的gm，βn表示N沟道晶体管的跨导参数，βp表示P沟道晶体管的跨导参数。此处，将N沟道晶体管M200的漏极作为电流输入(Ii)端子，将N沟道晶体管M203的漏极作为电流输出(Io)端子时的输入输出传递函数用下式表示。

[数学式3]

IoIi=-ω02s2+ω0Q·s+ω02]]>