[发明专利]基板收纳容器

说明书

技术领域

本发明涉及在将由半导体晶片或屏蔽玻璃等构成的基板收纳、保管、搬运、输送等时使用的基板收纳容器。

背景技术

以往的基板收纳容器虽然没有图示，但具备将多片半导体晶片整齐排列收纳的前开盒的容器主体、和经由密封用的衬垫拆装自如地嵌合在该容器主体的开口的正面上的盖体，搭载在附属于半导体加工装置的盖体开闭装置等上。

半导体晶片形成有规定的电路图案，通过切块切出多个半导体芯片。此外，容器主体和盖体分别通过含有合成树脂的规定的成形材料注射成形。在容器主体的内部两侧，在上下方向上配设有多个水平地支承半导体晶片的左右一对支承片。

这样的基板收纳容器在将盖体通过盖体开闭装置拆下后，从容器主体中将半导体晶片通过专用的机器人取出、或在收纳有半导体晶片的容器主体的开口的正面上以密闭状态嵌合盖体后，将容器主体内的空气置换为惰性气体等。

可是，近年来，半导体零件的细微化及配线的窄间距化不断发展，沿着该动向，对于基板收纳容器，从半导体晶片的防污染的观点看，要求较高的密闭性和处理的自动化。此外，为了尽可能抑制从容器主体或盖体产生脱气或析出离子而给半导体晶片带来不良影响，选择适当的成形材料，或将容器主体和盖体进行气体净化清洗。

鉴于以上所述，作为容器主体的适当的成形材料，使用减少了添加物的高纯度的聚碳酸酯，作为安装在容器主体上的构成零件的成形材料，使用聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚醚醚酮（参照专利文献1、2）。

专利文献1：特开平10－211686号公报

专利文献2：特开2004－146676号公报。

发明内容

以往的基板收纳容器如以上那样构成，容器主体由高纯度的聚碳酸酯成形，但在使半导体芯片的最小加工的线宽为45nm以下的情况下，在半导体晶片的铜配线工序及铝蒸镀工序中，发生起因于聚碳酸酯的吸湿性的铜配线的腐蚀、或通过有机物的水解而在半导体晶片上形成碱性的有机物，产品成品率有可能下降。

作为解决该问题的手段，可以举出将基板收纳容器的空气置换为惰性气体或干燥空气的方法，但在该方法的情况下，由于聚碳酸酯的吸水率较大为0.25%，所以维持基于气体的置换的低湿度状态的时间为几十分钟左右非常短，不能期待效果的持续。鉴于这一点，研究了在基板收纳容器的保管区中、对基板收纳容器总是供给惰性气体或干燥空气的方法，但在该方法的情况下，由于大量使用高价的惰性气体或干燥空气，所以有导致高成本的问题。

进而，在基板收纳容器的容器主体中，有收纳热处理而冷却的半导体晶片的情况，但此时，有可能与半导体晶片接触的容器主体的支承片等接触部变形、或通过闷在基板收纳容器中的热使容器主体的耐热性较低的区域变形、容器主体的正面的密封性下降。结果，可以预想到即使将基板收纳容器的空气置换为惰性气体或干燥空气、也不能期待效果的状况。

本发明是鉴于上述情况而做出的，目的是提供一种能够降低吸湿性及水分透过性、抑制基板的有机污染的便宜的基板收纳容器。此外，另一目的是提供一种能够持续长期维持气体置换的效果的基板收纳容器。

在本发明中，为了解决上述课题，是具备收纳基板的容器主体、和经由衬垫拆装自如地嵌合在该容器主体的开口部上的盖体、将这些容器主体和盖体用含有吸水率为0.1%以下、在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的合成树脂的成形材料分别成形的基板收纳容器，其特征在于，

使成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。

另外，在将在开口部上嵌合有盖体的容器主体内的气体置换而使其相对湿度为5%以下的情况下，能够将该相对湿度为5%以下的状态保持两小时以上。

此外，可以使成形材料的合成树脂的载荷挠曲温度为120℃以上。

此外，也可以是，在容器主体内具备基板支承用的支承体，将该支承体用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形，并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。

此外，可以是，在容器主体的底部安装底盘，将该底盘用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形，并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚苯硫醚中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。