[发明专利]成型电路部件的制造方法无效
申请号: | 201080030924.6 | 申请日: | 2010-07-06 |
公开(公告)号: | CN102471889A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 汤本哲男 | 申请(专利权)人: | 三共化成株式会社 |
主分类号: | C23C18/20 | 分类号: | C23C18/20;H05K3/00;H05K3/10;H05K3/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成型 电路 部件 制造 方法 | ||
1.一种成型电路部件的制造方法,其特征在于,具备下述工序:
第1工序,将由绝缘材料制成的基体成型,
第2工序,照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化,
第3工序,将所述基体浸渍在催化剂液中,向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂,
第4工序,使所述基体的表面干燥,使所述催化剂固定在该基体的表面上,
第5工序,向作为所述基体的表面的、不成为电路的部分照射第2激光,使固定于该不成为电路的部分的所述催化剂的功能降低或消失,
第6工序,向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分施以非电解镀层。
2.一种成型电路部件的制造方法,其特征在于,具备下述工序:
第1工序,将由绝缘材料制成的基体成型,
第2工序,照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化,
第3工序,将所述基体浸渍在催化剂液中,向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂,
第4工序,使所述基体的表面干燥,使所述催化剂固定在该基体的表面上,
第5工序,向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分与不成为电路的部分的边界照射第2激光,使固定于该边界的所述催化剂的功能降低或消失,
第6工序,向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分和不成为电路的部分施以非电解镀层,
第7工序,向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分的非电解镀层的表面施以电镀层,
第8工序,通过蚀刻来除去作为所述基体的表面的、所述不成为电路的部分的非电解镀层。
3.一种成型电路部件的制造方法,其特征在于,具备下述工序:
第1工序,将由绝缘材料制成的基体成型,
第2工序,照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化,
第3工序,将所述基体浸渍在催化剂液中,向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂,
第4工序,向所述基体的表面施以非电解镀层,
第5工序,向作为所述基体的表面的、不成为电路的部分照射第2激光,除去该不成为电路的部分的所述非电解镀层。
4.一种成型电路部件的制造方法,其特征在于,具备下述工序:
第1工序,将由绝缘材料制成的基体成型,
第2工序,照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化,
第3工序,将所述基体浸渍在催化剂液中,向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂,
第4工序,向所述基体的表面施以非电解镀层,
第5工序,向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分与不成为电路的部分的边界照射第2激光,除去施于该边界的所述非电解镀层,
第6工序,向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分的非电解镀层的表面施以电镀层,
第7工序,通过蚀刻来除去作为所述基体的表面的、所述不成为电路的部分的非电解镀层。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的成型电路部件的制造方法,其特征在于,在所述第2工序中,照射所述第1激光而仅将所述基体的表面中成为电路的部分粗化,
在所述第5工序中,以从所述成为电路的部分的周缘向着该成为电路的部分的内侧重叠规定宽度的方式照射所述第2激光。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理