[发明专利]用于光电作用的综合系统有效
申请号: | 201080030983.3 | 申请日: | 2010-07-08 |
公开(公告)号: | CN102473787A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | M·雷斯;P·韦格里 | 申请(专利权)人: | 黑森技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/05;B32B15/08;B32B15/20;B32B17/10;H01R9/24 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光电 作用 综合 系统 | ||
1.用于光电作用的综合系统,含有以下组成部分:
-一支持薄片(2),
-一金属薄片(3),该金属薄片被安装在所述支持薄片(2)上,以及
-一绝缘层(4),该绝缘层被安装在所述金属薄片(3)上,
其特征在于,
-所述金属薄片(3)具有一表面结构,并且
-所述绝缘层(4)具有连接件。
2.根据权利要求1的综合系统,其特征在于,所述绝缘层(4)的连接件
-是一粘合剂,并且/或者
-该绝缘层自身有粘附性能。
3.根据权利要求1或2的综合系统,其特征在于,所述绝缘层(4)
-由一透明电子绝缘材料制成,优选为一合成材料或一合成树脂,尤其优选为一环氧化物树脂,或由一溶胶凝胶层或一电介质层构成,并且/或者波长范围在400nm至1000nm之间,折射率大于1.6,并且/或者
-其折射率小于或等于用于入光窗口的玻璃的折射率,并且/或者
-所述绝缘层(4)由一合成材料制成,该合成材料具有粘附性,所述材料优选为聚乙烯醇缩丁醛。
4.根据权利要求1至3中任意一项中的综合系统,其特征在于,所述支持薄片(2)
-由聚乙烯醇缩丁醛,聚氟乙烯,乙二醇二乙酸酯或一具有相似物理性能和热性能的合成材料制成,或者
-由聚对苯二甲酸乙二醇酯或由各种材料组合而成的材料制成,所述聚对苯二甲酸乙二醇酯为双向拉伸聚合物,并且/或者
-背面有一涂层,优选为一铝制层面。
5.根据权利要求1至5中任意一项中的综合系统,其特征在于,所述金属薄片(3)
-由铜,铝或银,或锡或锡合金,或镀锡薄片制成,并且/或者
-厚度大于5μm,优选为10至20μm,并且/或者
-具有一增加反射率的薄层,该薄层优选为二氧化硅和/或二氧化钛,其中所述金属薄片(3)上的这一薄层的折射率80%以上在波长范围300nm至1000nm之间,并且/或者
-具有一表面结构,该表面结构优选为均匀或不均匀的三维结构,尤其优选为棱椎形或半球形,其中,该结构的优选高度为5μm至10μm,其高度尤为优选在5μm至10μm的随机分布,并且/或者该表面结构为顶角小于140°的棱椎,并且/或者
-具有一表面结构,该表面结构优选为均匀或不均匀的三维结构,尤其优选为棱椎形或半球形,其中,该结构的优选高度不超过1000nm,其中所述表面结构以及/或者所述棱椎或半球高度尤为优选在10-1000nm的随机分布,尤为优选的范围为100-1000nm。
6.用于制作权利要求1至5中任意一项中的用于光电作用的综合系统的生产方法,包含以下生产步骤;
-生产一金属层(3),
-将金属层(3)和一支持薄片(2)通过一具有粘附作用的连接件相互连接,
-将所述金属层(3)和支持薄片(2)与一绝缘层(4)通过一具有粘附作用的连接件相互连接,以及
-将绝缘层(4)打开以便接触。
7.用于制作权利要求1至5中任意一项中的用于光电作用的综合系统的生产方法,包含以下生产步骤;
-生产一金属层(3),
-将金属层(3)和一绝缘层(4)通过一具有粘附作用的连接件相互连接,
-将所述金属层(3)和绝缘层(4)与一支持薄片(2)通过一具有粘附作用的连接件相互连接,以及
-将绝缘层(4)打开以便接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑森技术股份有限公司,未经黑森技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080030983.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的