[发明专利]半导体用膜和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体用膜，所述半导体用膜是依次层叠粘接层和至少一层粘着层以及支承膜来形成，用于在所述粘接层的与所述粘着层相反侧的面上层叠半导体晶片，通过在该状态下切割该半导体晶片和所述粘接层来分别进行单片化，并从所述支承膜拾取所得到的单片，其特征在于，

所述粘着层包含平均厚度为20μm～100μm的层。

2.如权利要求1所述的半导体用膜，其中，所述粘着层由多层构成。

3.如权利要求1所述的半导体用膜，其中，所述多层包含：位于所述半导体晶片侧的平均厚度为20μm～100μm的第一粘着层，以及邻接于该第一粘着层的所述支承膜侧且粘着性比所述第一粘着层大的第二粘着层。

4.如权利要求3所述的半导体用膜，其中，所述粘接层的外周边缘和所述第一粘着层的外周边缘，分别位于所述第二粘着层的外周边缘的内侧。

5.如权利要求3所述的半导体用膜，其中，所述第二粘着层的平均厚度小于所述第一粘着层的平均厚度。

6.如权利要求3所述的半导体用膜，其中，所述第二粘着层的硬度小于所述第一粘着层的硬度。

7.如权利要求3所述的半导体用膜，其中，所述第一粘着层的肖氏D硬度为20～60。

8.如权利要求1所述的半导体用膜，其中，在所述单片化后的所述半导体晶片中，若设定从所述粘着层剥离所述单片的边缘部时所测定的粘附力为a、从所述粘着层剥离所述单片的所述边缘部以外的部分时所测定的粘附力为b时，a/b为1以上且4以下，所述a和b的单位是N/cm。

9.如权利要求8所述的半导体用膜，其中，所述粘附力b为0.05N/cm～0.3N/cm。

10.如权利要求1所述的半导体用膜，其中，对所述粘着层的所述粘接层侧的面中层叠所述半导体晶片的区域，在层叠所述半导体晶片之前，预先照射紫外线。

11.如权利要求1所述的半导体用膜，其中，在切割所述半导体晶片和所述粘接层而分别进行单片化时，以使由所述切割产生的切槽最深处位于所述平均厚度为20μm～100μm的层内而使用。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，准备以权利要求1所述的半导体用膜的所述粘接层与半导体晶片相接触的方式，层叠所述半导体用膜和半导体晶片而成的层叠体；

第二工序，通过在所述层叠体上从所述半导体晶片侧设置切槽，使所述半导体晶片单片化，获得多个半导体元件；以及

第三工序，拾取所述半导体元件，

并且，将所述切槽设置成使其最深处位于所述平均厚度为20μm～100μm的层内。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，在一条所述切槽中，比所述粘接层与所述粘着层的界面更位于前端侧的部分的横截面积为5×10^-5mm²～300×10^-5mm²。