[发明专利]使用基于锌、硅和氧的接合层的接合方法及相应的结构体

权利要求书

1.一种用于制造半导体结构体的方法，所述方法包括：

在第一元件和第二元件中的至少一个的表面上提供至少基本上由锌、硅和氧构成的接合层；

在所述第一元件和所述第二元件之间设置所述接合层；和

使用设置在所述第一元件和所述第二元件之间的所述接合层使所述第一元件和所述第二元件在接合界面处彼此连接。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括选择所述第一元件和所述第二元件中的每一个，使其包含器件结构体、接合结构体和层结构体中的至少一个。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在第一元件和第二元件中的至少一个的表面上提供所述接合层包括：

在所述第一元件的表面上形成第一接合层；

在所述第二元件的表面上形成第二接合层；和

使所述第一接合层与所述第二接合层接合。

4.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括配制所述接合层中硅的百分比浓度，以增大与所述接合界面的相似度。

5.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括将与所述接合界面邻近的所述接合层的区域配制得至少基本上由氧化硅构成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，使所述第一元件与所述第二元件彼此连接包括通过分子粘附使所述第一元件与所述第二元件彼此连接。

7.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括通过离子注入过程、激光剥离过程、机械薄化过程和化学薄化过程中的至少一个使所述第一元件和所述第二元件中的至少一个薄化，以形成薄化元件。

8.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括在所述薄化元件上形成另一层结构体。

9.一种半导体结构体，所述半导体结构体包含：

第一元件和第二元件，和

设置在所述第一元件和所述第二元件之间并使所述第一元件和所述第二元件接合在一起的至少一个接合层，所述至少一个接合层至少基本上由锌、硅和氧构成。

10.如权利要求9所述的结构体，其中，所述第一元件和所述第二元件各自包含器件结构体、接合结构体和层结构体中的至少一个。

11.如权利要求10所述的结构体，其中，所述第一元件和所述第二元件中的至少一个包含接合结构体，所述接合结构体含有至少基本上由锌、硅和氧构成的至少一个额外的接合层。

12.如权利要求9所述的结构体，其中，所述至少一个接合层是电导的且透光的，所述第一元件和所述第二元件通过所述至少一个接合层彼此光耦合和电耦合。

13.如权利要求9所述的结构体，其中，所述第一元件和所述第二元件中的至少一个包含平均层厚度小于约100μm的半导体层。

14.如权利要求9所述的结构体，其中，所述第一元件和所述第二元件中的至少一个包含光伏子电池或发光元件。

15.如权利要求9所述的结构体，其中，所述半导体结构体包含多结光伏太阳能电池或发光结构体。