[发明专利]图案形成用树脂组合物、图案形成方法及发光元件的制造方法有效
申请号: | 201080031490.1 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN102741988A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 浅川钢儿;北川良太;藤本明;白江良章;赖末友裕;池田章彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;旭化成电子材料株式会社 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;C08F297/00;C08L25/02;C08L33/06;C08L53/00;H01L21/3065;H01L33/22 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 形成 树脂 组合 方法 发光 元件 制造 | ||
1.一种图案形成用树脂组合物,其是包含以下的嵌段共聚物(a)、含芳香环的均聚物(b)和聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的图案形成用树脂组合物:
所述嵌段共聚物(a)包含含芳香环的聚合物和聚(甲基)丙烯酸酯作为嵌段部分,其中,该嵌段共聚物(a)的数均分子量为30万以上且500万以下,该含芳香环的聚合物部分和该聚(甲基)丙烯酸酯部分的总量相对于该嵌段共聚物(a)整体的比率为50摩尔%以上,该含芳香环的聚合物部分与该聚(甲基)丙烯酸酯部分的摩尔比为1∶1~1∶5,
所述含芳香环的均聚物(b)由构成所述嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物的单体来构成,其中,该含芳香环的均聚物(b)的重均分子量为1500以上且8000以下;
所述聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)由构成所述嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的聚(甲基)丙烯酸酯的单体来构成,其中,该聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的重均分子量为1500以上且14000以下,
该含芳香环的均聚物(b)和该聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为10质量%~90质量%,并且该嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物部分和该含芳香环的均聚物(b)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为10质量%~60质量%。
2.根据权利要求1所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物为聚苯乙烯。
3.根据权利要求1或2所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述嵌段共聚物(a)为聚苯乙烯与聚甲基丙烯酸甲酯的二嵌段共聚物。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述含芳香环的均聚物(b)的重均分子量为1500以上且5000以下。
5.根据权利要求4所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述含芳香环的均聚物(b)的重均分子量为2500以上且5000以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述含芳香环的均聚物(b)在末端具有R1R2(CN)C-基,其中,R1及R2彼此独立地为C1~C6的烷基或烷氧基烷基。
7.根据权利要求6所述的图案形成用树脂组合物,其中,R1和R2均为甲基。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的重均分子量为2500以上且14000以下。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)在末端具有脂肪族基。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的图案形成用树脂组合物,其中,所述含芳香环的均聚物(b)和所述聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的总量相对于所述树脂组合物整体的质量比为40质量%~80质量%,并且该嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物部分和该含芳香环的均聚物(b)的总量相对于所述树脂组合物整体的质量比为20质量%~50质量%。
11.一种图案形成用溶液,其是将权利要求1~10中任一项所述的图案形成用树脂组合物溶解于溶剂中而成的图案形成用溶液,该树脂组合物相对于该溶液的质量比为1~30质量%。
12.根据权利要求11所述的图案形成用溶液,其中,所述溶剂为选自由乙基溶纤剂乙酸酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯、环戊酮、丙二醇单甲基醚及乳酸乙酯组成的组中的至少一种溶剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;旭化成电子材料株式会社,未经株式会社东芝;旭化成电子材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080031490.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造