[发明专利]用于干燥半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201080031502.0 | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102473620A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 奥雷利亚·普利翁 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 干燥 半导体 晶片 方法 | ||
1.用于干燥板状物体的方法；所述方法包括用水成的冲洗液冲洗，随后用有机溶剂冲洗，
其中所述有机溶剂中水含量的质量百分比低于20％，
其中所述有机溶剂在至少为30℃且不高于60℃的溶剂温度下供给。
2.根据权利要求1所述的方法，其中测量出相对湿度并且从所述相对湿度计算出露点，以及将有机溶剂提供给板状物体时的温度在高于所计算的所述露点的20K到35K之间的范围内选择。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂可与水混合。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述有机溶剂选自：醇类(例如甲醇，乙醇，2-丙醇)，酮类(例如丙酮)，酯类，醚类。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶剂温度至少为35℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶剂温度不高于55℃。
7.根据权利要求3所述的方法，其中所述有机溶剂水含量的质量百分比低于10％。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在用所述有机溶剂冲洗期间旋转所述板状物体。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在容积流量为20ml/min到400ml/min的范围内供给所述有机溶剂。
10.根据权利要求10所述的方法，其中所施加的所述有机溶剂的温度保持在高于所述露点至少25K以上，并且选择所述有机溶剂的流量低于100ml/min而不生成水印。
11.根据权利要求1所述的方法，其中在进行所述干燥之前，将含氟溶液施加在圆片形物体上。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述含氟溶液是包含氟化氢的水溶液，所述氟化氢的浓度低于1g/l。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
