[发明专利]电磁工艺线

权利要求书

1.一种用于制造膜的方法，所述方法包括下列步骤：

(A)产生具有聚合物组分、单体组分、纳米粒子组分、磁性填料组分、或其组合的流延薄膜；

(B)将所述流延薄膜剪切；

(C)通过将电场施加至所述流延薄膜来对齐流延-薄膜组分；

(D)通过将磁场施加至所述流延薄膜来对齐所述流延-薄膜组分；

(E)使所述流延-薄膜组分固化或聚合；

(F)使所述流延薄膜退火；以及

(G)将溶剂从所述流延薄膜中蒸发。

2.权利要求1所述的方法，其中通过将具有聚合物组分、单体组分、纳米粒子组分、磁性填料组分、或其组合的溶液流延至基板上来产生所述流延薄膜；通过将所述流延薄膜的表面与剪切带的表面接触来剪切所述流延薄膜；通过将紫外辐射施加至所述流延薄膜来固化或聚合所述流延薄膜组分；通过将振荡热辐射施加至所述流延薄膜来退火所述流延薄膜；以及，通过将热辐射、气流、或其组合施加至所述流延薄膜来从所述流延薄膜中蒸发所述溶剂；

3.权利要求2所述的方法，其中在所述溶液中所述磁性填料组分的浓度为从约0.01重量％至约20重量％。

4.权利要求2所述的方法，其中在所述溶液中所述单体组分的浓度为从约1重量％至约100重量％。

5.权利要求2所述的方法，其中所述溶液粘度为从约5cP至约50,000cP。

6.权利要求2所述的方法，其中所述基板为Mylar、铝、或不锈钢。

7.权利要求2所述的方法，其中将所述溶液流延在以厚度为从约4微米至约2540微米的所述基板上。

8.权利要求1所述的方法，其中使所述流延薄膜剪切至厚度为从约1微米至约500微米。

9.权利要求1所述的方法，其中以量为从约1KV/cm至约25KV/cm将所述电场施加至所述流延薄膜。

10.权利要求1所述的方法，其中在至少约1特斯拉的强度下将所述磁场施加至所述流延薄膜。

11.权利要求1所述的方法，其中通过将所述紫外辐射施加至所述流延薄膜来固化或聚合所述流延-薄膜组分。

12.权利要求11所述的方法，其中在从约150纳米至约400纳米的波长下将所述紫外辐射施加至所述流延薄膜。

13.权利要求2所述的方法，其中所述振荡热辐射的相对最高温度为从约50℃至约250℃以及振荡热梯度的最低温度为从约5℃至约40℃。

14.权利要求1所述的方法，其中以单程通过设备进行所述方法步骤。

15.一种用于制造膜的方法，所述方法包括下列步骤：

(1)产生具有聚合物组分、单体组分、纳米粒子组分、磁性填料组分、或其组合的流延薄膜；

(2)将所述流延薄膜剪切；

(3)通过将电场、磁场、或两者施加至所述流延薄膜来对齐流延-薄膜组分；

(4)使所述流延-薄膜组分固化或聚合；

(5)使所述流延薄膜退火；以及

(6)将溶剂从所述流延薄膜中蒸发。

16.权利要求15所述的方法，其中以单程通过设备进行所述方法步骤。

17.一种用于制造膜的方法，所述方法包括下列步骤：

(i)产生具有聚合物组分、单体组分、纳米粒子组分、磁性填料组分、或其组合的流延薄膜；

(ii)将所述流延薄膜剪切；

(iii)使所述流延薄膜退火；以及

(iv)将溶剂从所述流延薄膜中蒸发。

18.权利要求17所述的方法，进一步包括下列步骤：

通过将电场施用至所述流延薄膜来对齐流延-薄膜组分。

19.权利要求17所述的方法，进一步包括下列步骤：

通过将磁场施用至所述流延薄膜来对齐流延-薄膜组分。