[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、以及显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

在基板上设置的含有Al或者Al合金的栅电极、

设置成覆盖该栅电极的至少上面且含有对该栅电极的Al或者Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的栅极绝缘膜、和

按照厚度实质上等于所述栅电极的厚度及其上面的栅极绝缘膜的厚度的总厚度且包围所述栅电极的方式设置于所述基板上的绝缘体层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅电极含有Al合金，该Al合金至少含有Mg、Zr以及Ce中的Zr以及Ce。

3.一种半导体装置，其特征在于，

其具有含有Al合金的栅电极、和含有对该栅电极的Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的栅极绝缘膜，所述Al合金至少含有Mg、Zr以及Ce中的Zr以及Ce。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阳极氧化膜是由使用了非水溶液的阳极氧化形成的无孔质阳极氧化膜。

5.如权利要求1、2或者4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板是实质上透明的绝缘体基板，所述绝缘体层是实质上透明的树脂层。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂层含有从丙烯酸系树脂、硅酮系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、脂环式烯烃系树脂、以及环氧系树脂中选择的一种以上树脂。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂层由碱可溶性脂环式烯烃系树脂组合物形成。

8.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板包含碱性玻璃和在其上形成的碱扩散防止膜。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述碱扩散防止膜是实质上透明的绝缘体涂布膜。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘体涂布膜是将含有金属有机化合物以及金属无机化合物的至少一方和溶剂的液体状涂布膜干燥、烧成而得到的膜。

11.如权利要求1～10中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅电极具有Al层和至少含有Mg、Zr以及Ce中的Zr以及Ce的Al合金层这2层构造，所述栅极绝缘层具有对该Al合金进行了阳极氧化的膜。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

使用Al或者Al合金在实质上透明的基板上形成规定图案的栅电极膜的工序、

利用使用了非水溶液的阳极氧化法对所述栅电极的表面进行阳极氧化的工序、和

按照厚度实质上等于所述栅电极的厚度及其上面的阳极氧化膜的厚度的总厚度且包围所述栅电极的方式将透明绝缘体层设置于所述基板上的工序。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将所述透明绝缘体层设置于所述基板上的工序包括：

按照由所述透明基板上延伸到所述栅电极上的方式形成构成所述透明绝缘体膜的材料的工序、和

使用含氧的等离子体除去构成所述透明绝缘体膜的材料的表面的工序。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

使用所述等离子体加以除去的工序含有：

露出栅电极上的阳极氧化膜的工序、和

通过所述等离子体对露出的阳极氧化膜进行改性的工序。

15.如权利要求12～14中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述栅电极膜具有Al层和至少含有Mg、Zr以及Ce中的Zr以及Ce的Al合金层这2层构造，所述栅极绝缘层具有对该Al合金进行了阳极氧化的膜。

16.一种显示装置，其特征在于，

其使用权利要求1～11中任意一项所述的半导体装置制造而成。

17.一种显示装置，其特征在于，包括：

在基板上设置的含有Al或者Al合金的布线、

设置成覆盖该布线的至少上面且含有对构成该布线的Al或者Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的绝缘膜、和

按照厚度实质上等于所述布线的厚度及其上面的绝缘膜的厚度的总厚度且包围所述布线的方式设置于所述基板上的绝缘体层。