[发明专利]用于垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金和溅射靶材料

权利要求书

1.一种用于在垂直磁记录介质中软磁性膜层的CoFeNi-系合金，其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的如下各项：

Co+Fe+Ni：70至92％，条件是Ni含量可以为0；

Ta：1至8％；以及

B：多于7％且不多于20％，

其中CoFeNi-系合金的组成(原子％)满足下列比率：

Co/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.9；

Fe/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.65；

Ni/(Co+Fe+Ni)：0至0.35；以及

B/Ta：1至8。

2.一种用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金，其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的下列各项：

Co+Fe+Ni：70至92％，条件是Ni含量可以为0；

Nb+Ta：1至8％；以及

B：多于7％并且不多于20％，

其中所述CoFeNi-系合金的组成(原子％)满足下列比率：

Co/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.9；

Fe/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.65；

Ni/(Co+Fe+Ni)：0至0.35；以及

B/(Nb+Ta)：1至8。

3.一种用于在垂直磁记录介质中的软磁性膜层的CoFeNi-系合金，其中所述CoFeNi-系合金包含以原子％计的下列各项：

Co+Fe+Ni：70至92％，条件是Ni含量可以为0；

Zr+Hf+Nb+Ta：1至8％；

B：多于7％并且不多于20％；

Zr+Hf：0至小于2％；以及

Al+Cr：0至5％，

其中所述CoFeNi-系合金的组成(原子％)满足下列比率：

Co/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.9；

Fe/(Co+Fe+Ni)：0.1至0.65；

Ni/(Co+Fe+Ni)：0至0.35；和

B/(Nb+Ta)：1至8。

4.一种溅射靶材料，所述溅射靶材料由根据权利要求1所述的CoFeNi-系合金制成。

5.一种溅射靶材料，所述溅射靶材料由根据权利要求2所述的CoFeNi-系合金制成。

6.一种溅射靶材料，所述溅射靶材料由根据权利要求3所述的CoFeNi-系合金制成。

7.一种垂直磁记录介质，所述垂直磁记录介质具有由根据权利要求1所述的CoFeNi-系合金制成的软磁性膜层。

8.一种垂直磁记录介质，所述垂直磁记录介质具有由根据权利要求2所述的CoFeNi-系合金制成的软磁性膜层。

9.一种垂直磁记录介质，所述垂直磁记录介质具有由根据权利要求3所述的CoFeNi-系合金制成的软磁性膜层。