[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201080032159.1 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102473731A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;细羽幸;野田耕生;大原宏树;佐佐木俊成;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；
在所述栅电极层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；
在氧气气氛中加热所述氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上形成源和漏电极层；
在所述栅绝缘层、所述氧化物半导体层和所述源和漏电极层上形成与所述氧化物半导体层的部分相接触的氧化物绝缘层；以及
在氧气气氛或惰性气体气氛中执行热处理。
2.一种制造半导体器件的方法，包括：
在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；
在所述栅电极层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；
在氧气气氛中加热所述氧化物半导体层，以使所述氧化物半导体层被脱水或脱氢；
在所述氧化物半导体层上形成源和漏电极层；
在所述栅绝缘层、所述氧化物半导体层和所述源和漏电极层上形成与所述氧化物半导体层的部分相接触的氧化物绝缘层；以及
在氧气气氛或惰性气体气氛中执行热处理。
3.一种制造半导体器件的方法，包括：
在所述绝缘层上形成氧化物半导体层；
在氧气气氛中加热所述氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上形成源和漏电极层；
在所述绝缘层、所述氧化物半导体层和所述源和漏电极层上形成与所述氧化物半导体层的部分相接触的氧化物绝缘层；以及
在氧气气氛或惰性气体气氛中执行热处理。
4.一种制造半导体器件的方法，包括：
在绝缘层上形成氧化物半导体层；
在氧气气氛中加热所述氧化物半导体层，以使所述氧化物半导体层被脱水或脱氢；
在所述氧化物半导体层上形成源和漏电极层；
在所述绝缘层、所述氧化物半导体层和所述源和漏电极层上形成与所述氧化物半导体层的部分相接触的氧化物绝缘层；以及
在氧气气氛或惰性气体气氛中执行热处理。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述氧气气氛中加热所述氧化物半导体层的温度高于或等于200℃且低于所述衬底的应变点。
6.根据权利要求1到4中任一项所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述氧气气氛中加热所述氧化物半导体层之后，在所述氧气气氛中保持所述氧化物半导体层。
7.根据权利要求1到4中任一项所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述氧气气氛中加热所述氧化物半导体层之后，在惰性气体气氛中保持所述氧化物半导体层。
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