[发明专利]多束相干激光发射的二极管源

权利要求书

1.一种多束相干激光发射的二极管源，包括：

至少一个至少单模式单频率主二极管激光器，以下称为主激光器；

至少一个二极管光学放大器，以下称为线性放大器，其与所述主激光器集成且光学地连接；

至少两个二极管光学放大器，以下称为垂直放大器，其与所述线性放大器集成且光学地连接；

所述主激光器以及所述线性放大器和所述垂直放大器以基于半导体化合物的公共异质结形成，所述异质结包含至少一个有源层、至少两个包覆层、和使发射透过的发射漏入区，所述漏入区被设置在所述有源层和至少在所述有源层的一侧上的相应包覆层之间，所述漏入区至少包含漏入层，

其中，所述异质结的特征在于，所述异质结的有效折射率n_eff与所述漏入层的折射率n_IN的比率，即，n_eff与n_IN的比率在1至1-γ的范围内，其中，γ由远小于1的数确定；

所述主激光器包括：具有连接的金属层的有源条形激光区；具有连接的绝缘层的横向发射限制区，所述限制区位于所述主激光器的有源激光区的每一横向侧上；以及，欧姆接触、光学腔面、反射器、光学谐振器，其中，在两个光学腔面上，所述光学谐振器的反射器具有接近1的反射系数，并且该光学谐振器的反射器被设置于所述异质结的所述有源层的指定的邻近位置；

至少包括具有连接的金属层的有源放大区的每个线性放大器被定位为使得所述主激光器的发射传播的光轴与所述线性放大器的光轴一致；

至少包括具有连接的金属层的有源放大区和具有光学抗反射涂层的光学输出腔面的每个垂直放大器被定位为，使得所述垂直放大器的光轴被定位为与所述线性放大器的光轴成直角(模)；

在所述线性放大器的光轴与每个垂直放大器的光轴的交叉点附近，存在用于将激光发射的指定部分从所述线性放大器流到垂直放大器的集成元件，所述集成元件被任意称为旋转元件，所述旋转元件包括至少一个光学反射面，该至少一个光学反射面与异质结层的平面垂直，横跨所述有源层和异质结漏入区在20％至80％的所述漏入层的厚度内的部分，并且对于所述线性放大器和所述垂直放大器的光轴倾斜大约45°(模)的角度。

2.根据权利要求1所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述主激光器的光学谐振器的反射器位于从所述异质结表面到所述漏入区中的指定深度的每个光学腔面上。

3.根据权利要求1所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，在所述主激光器的光学谐振器的每个端侧上，具有一个线性放大器。

4.根据权利要求1所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述主激光器的光学谐振器的反射器为分布式Bragg反射器。

5.根据权利要求1所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，在所述主激光器的横向限制区中，存在至少一个划分限制子区和至少一个限制子区，指定宽度的所述划分限制子区位于从所述异质结表面至指定深度的所述主激光器的有源激光区的两个横向侧上，该指定深度未到达所述有源层位置的深度，所述限制子区位于从所述异质结表面到指定深度的所述划分限制子区的两个横向侧上，该指定深度超过所述有源层位置的深度。

6.根据权利要求1所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述线性放大器的有源放大区至少在其所述主激光器侧的长度的一部分上被加宽。

7.根据权利要求6所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述加宽部分到所述条形部分存在平滑过渡。

8.根据权利要求1所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述线性放大器的有源放大区的每个横向侧都具有从所述异质结表面至未到达所述有源层位置的深度的指定深度设置的、指定宽度的划分限制子区。

9.根据权利要求8所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述划分限制子区的每个横向侧都具有从所述异质结表面到超过所述有源层位置的深度的深度设置的限制子区。

10.根据权利要求1所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述垂直放大器的有源放大区至少在其所述线性放大器侧的长度上的特定部分被加宽。

11.根据权利要求10所述的多束相干激光发射的二极管源，其中，所述加宽部分到所述条形部分存在平滑过渡。