[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，其特征在于，具有：

将入射光的能量转换成电能的光电转换元件、和

设置于所述光电转换元件的散热部，

所述光电转换元件具有设置于与所述散热部接触的部分且由含有SiCN的材料构成的钝化层。

2.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

所述光电转换元件含有第一电极层、第二电极层、和在所述第一电极层以及第二电极层之间设置的1个或者多个发电层叠体，

所述发电层叠体含有p型半导体层、与该p型半导体层接触形成的i型半导体层、和与所述i型半导体层接触形成的n型半导体层，

所述钝化层设置于所述第二电极层。

3.如权利要求2所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第一电极层是透明电极。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的光电转换装置，其特征在于，

所述发电层叠体的所述i型半导体层由结晶硅、微晶非晶硅、以及非晶硅的任一种形成。

5.如权利要求1～4中任意一项所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第一电极层中，所述n型半导体层所接触的部分含有n型的ZnO，与所述第一电极层接触的所述n型半导体层由非晶硅形成。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的光电转换装置，其特征在于，

与所述第二电极层接触的所述p型半导体层由非晶硅形成，在所述第二电极层中至少所述p型半导体层所接触的部分，形成有含有镍(Ni)的层。

7.如权利要求1～6中任意一项所述的光电转换装置，其特征在于，

所述散热部是由含有Al的材料构成的散热器。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的光电转换装置，其特征在于，

所述SiCN具有在氮化硅Si₃N₄中添加了2原子％～40原子％的C的组成。