[发明专利]爆裂声减少电路和音频放大器中使用的具有这种爆裂声减少电路的音频电路

说明书

技术领域

本发明总的来说涉及爆裂声减少电路和音频放大器中使用的具有这种爆裂声减少电路的音频电路，并且具体地涉及能够减少在音频放大器激活或去激活时产生的爆裂声的爆裂声减少电路和具有爆裂声减少电路的音频电路。更具体地，本发明涉及适于执行爆裂声减少操作的技术。

背景技术

公知扬声器系统在音频放大器的电源打开或关闭或取消音频放大器的待机模式时，或者在当音频放大器电路的可应用部分的电压上升时的过渡时段中，有时产生不正常的劈啪声(crackling sound)。这种不平常的劈啪声称为“爆裂声(爆裂sound)”，其对听者产生显著的干扰并且使得听者不舒适。此外，这种爆裂声有时会损坏扬声器。

作为用于减少这种爆裂声的技术，例如日本特开专利申请No.2004-304441(以下也称为“专利文献1”)公开了通过在音频放大器激活或去激活时提高音频放大器的参考电压使得音频放大器的参考电压展现提高了的余弦波形，来降低爆裂声的产生的技术。

图4是示出了在专利文献1中公开的这种现有技术的爆裂声减少电路的电路图，并且图5是示出了图4的现有技术的爆裂声减少电路的操作示例的时序图。图5示出了在图4的NMOS晶体管M403和N404的位置A4至C4处的各个电压的波形和漏极电流i401和i402的波形。

在图4中，当音频放大器的电源打开以向爆裂声减少电路提供电源电压Vdd时，电容器C401通过电阻R401充电以使得在A4处的电压以对数曲线上升。由于在A4处的电压提供到NMOS晶体管M401和PMOS晶体管M402各自的栅极，所以漏极电流i401基于在A4处的电压改变。

也就是说，如果在A4处的电压低，则PMOS晶体管M402处于导通状态而NMOS晶体管M401处于截止状态。因此，几乎没有漏极电流i401流过。

当在A4处的电压升高以将NMOS晶体管M401导通时，漏极电流i401已经开始流动，并且漏极电流i401的量随着在A4处的电压的上升而上升。当在A4处的电压是电源电压Vdd的大约1/2时，NMOS晶体管M401和PMOS晶体管M402的组合电阻减少到其最小值同时漏极电流i401增加到其最大值。

当在A4处的电压进一步增加时，NMOS晶体管M401的导通电阻进一步降低。然而，PMOS晶体管M401的导通电阻进一步降低低于NMOS晶体管M401的导通电阻。因此，漏极电流i401已经开始下降。

当在A4处的电压进一步增加到大约与电源电压Vdd相同电平时，PMOS晶体管M402截止。因此没有漏极电流i401流过。

在此时，漏极电流i401作为NMOS晶体管M403的漏极电流流过。因为NMOS晶体管M403和M404形成电流镜像电路，NMOS晶体管M404的漏极电流i402也与漏极电流i401相同方式地流过。

电容器C402以漏极电流i402充电使得电容器C402的电压上升。注意到如果音频减少电路401输出一恒定输出电压(例如地电压)，则在B4处输出的电压由于与电容器C402的端电压类似的改变而上升。这是因为在运算放大器402的输出电压和电容器C402的端电压之间存在比例关系。

也就是说，在B4处的电压具有如下的电压波形，该电压波形在波形开始(在该波形开始处在电源打开之后立即获得在B4处的电压)处逐渐上升，在电压波形的中点处快速上升，并且向着电压波形的结束点再次逐渐上升。因此，可以抑制在C4处电压波形的峰值，由此减少爆裂声。

此外，日本特开专利申请No.2005-109654(以下也称为“专利文献2”)公开了用于减少爆裂声的产生的另一技术。在该技术中，提供多个电流源并且通过切换多个电流源以产生具有图5所示的在B4处的电压波形的电压来对图4的电容器C402充电。

然而，在图4中的现有技术的爆裂声减少电路的情况下，在A4处的电压以对数曲线上升。因此，电压在电源打开之后立即快速上升，但是其上升速率随着时间逐渐减慢。因此，PMOS晶体管M402的导通状态持续时间缩短而NMOS晶体管M401的导通持续时间增加。因此，与图5所示的漏极电流i401的对称波形不同地获得漏极电流的不对称波形。

此外，由于漏极电流i401的值随着NMOS晶体管M401和PMOS晶体管M402各自的阈值电压而改变，所以漏极电流i401基于晶体管的制造条件而显著改变。