[发明专利]改进用于MRI的低噪声前置放大器的输入阻抗

权利要求书

1.一种具有FET设备(46)的前置放大器设备(44)，其包括：

栅极(60)；

漏极(62)；

耦合到浮动接地端(46_地)的第一源极(66)；以及

耦合到第二接地端(44_地)的第二源极(68)。

2.如权利要求1所述的前置放大器设备，其中：

所述FET设备的所述栅极具有栅极电抗L_g和栅极电阻R_g；

所述FET设备的所述漏极具有漏极电抗L_d和漏极电阻R_d；

所述第一源极具有第一源极电抗L_S1和第一源极电阻R_S1；并且

所述第二源极具有第二源极电抗L_S2和第二源极电阻R_S2。

3.如权利要求2所述的前置放大器设备，其中，所述第一源极(66)和所述第二源极(68)通过所述第一源极电阻R_S1、所述第二源极电阻R_S2、所述第一源极电抗L_S1以及所述第二源极电抗L_S2彼此隔离。

4.如权利要求2或3所述的前置放大器设备(44)，其中，所述FET设备(46)具有串联耦合在所述栅极(60)与所述第一和第二源极(66、68)之间的栅极到源极电容(C_gs)和栅极到源极电阻(R_gs)。

5.如权利要求4所述的前置放大器设备(44)，其中，所述FET设备(46)具有并联耦合在所述漏极62与所述第一和第二源极(66、68)之间的漏极到源极电容(C_ds)、漏极到源极电阻(R_ds)以及直流电流源(72)。

6.如权利要求1-5中任一项所述的前置放大器设备(44)，其中，放大功率在所述漏极(62)与所述前置放大器(44)的输出侧上的所述第二源极(68)之间流动，并且不修改所述前置放大器(44)的输入侧上的阻抗。

7.一种线圈组件(24)，其包括：

线圈(40)，其耦合到如权利要求1所述的前置放大器设备(44)的所述栅极(60)和所述第一源极(66)，其中，所述浮动接地端(46_地)是所述线圈组件的接地端。

8.一种MR设备(10)，其包括：

主磁体(14)，其生成穿过检查区域(14)的时间恒定B0磁场；

梯度磁体(16)，其生成横跨所述检查区域(14)的梯度磁场；

RF发射器(20)和RF线圈(22)，其生成横跨所述检查区域(14)的B1场；以及

如权利要求7所述的线圈组件(24)。

9.如权利要求8所述的MR设备，其还包括：

多个所述线圈组件(24)。

10.如权利要求8或9所述的MR设备，其还包括：

引线(26)，其将所述前置放大器(44)连接到接收器(28)并且连接所述第二源极(68)与所述接收器的系统接地端。

11.如权利要求1所述的前置放大器设备，其被用在天线阵列中。

12.如权利要求11所述的前置放大器设备，其中，所述天线阵列是射电天文学天线阵列。

13.一种使到如权利要求2-12中任一项所述的前置放大器设备(44)的输入阻抗降低的方法，其包括：

通过所述第一源极电阻(R_S1)、所述第二源极电阻(R_S2)、所述第一源极阻抗(L_S1)以及所述第二源极阻抗(L_S2)隔离所述第一和第二源极(66、68)。