[发明专利]成膜用组合物、绝缘膜以及半导体装置无效
| 申请号： | 201080032805.4 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102471407A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 中嶋道男;齐藤英纪;原田隆博;松谷美帆子;多田昌弘;中谷浩司 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | C08F138/00 | 分类号： | C08F138/00;C08F136/00;C08L49/00;H01L21/312;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成膜用 组合 绝缘 以及 半导体 装置 | ||
1.一种成膜用组合物，其特征在于，是含有具有聚合性官能团的聚合性化合物的成膜用组合物；
所述聚合性化合物在分子内具有含有金刚烷型笼形结构的部分结构和参与聚合反应的聚合性反应基团；
所述聚合性反应基团具有芳香环和直接键合于该芳香环的乙炔基或者乙烯基；
在所述聚合性化合物中，相对于该聚合性化合物整体的碳数，来源于所述芳香环的碳数为15％～38％。
2.根据权利要求1所述的成膜用组合物，其中，具有2个所述聚合性反应基团，形成该聚合性反应基团以所述部分结构为中心对称地键合的结构。
3.根据权利要求1或2所述的成膜用组合物，其中，所述芳香环直接键合于所述笼形结构。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜用组合物，其中，所述聚合性反应基团具有2个乙炔基或者乙烯基，其中一个所述乙炔基或者所述乙烯基存在于另一个所述乙炔基或者所述乙烯基的间位。
5.根据权利要求4所述的成膜用组合物，其中，2个所述乙炔基或者所述乙烯基均存在于所述芳香环与所述笼形结构键合的部位的间位。
6.根据权利要求4或5所述的成膜用组合物，其中，还含有所述聚合性化合物部分聚合而成的聚合物。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的成膜用组合物，其中，所述部分结构具有金刚烷结构。
8.根据权利要求7所述的成膜用组合物，其中，所述金刚烷结构具有甲基作为取代基。
9.根据权利要求8所述的成膜用组合物，其中，所述聚合性化合物具有下述式(1)所示的结构，
式中，n表示1～5的整数。
10.根据权利要求1～6中任一项所述的成膜用组合物，其中，所述部分结构具有双金刚烷结构。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的成膜用组合物，其中，不包含具有成膜时进行热裂解而在膜中形成空穴的功能的空穴形成材料。
12.一种绝缘膜，其特征在于，采用权利要求1～11中任一项所述的成膜用组合物而形成。
13.根据权利要求12所述的绝缘膜，其中，通过作为处理气体使用氮气和氢气的混合气体或者氨气的反应离子蚀刻法进行了蚀刻的蚀刻面的介电常数的变化率在10％以下。
14.根据权利要求12或13所述的绝缘膜，其中，通过使用氮气和氢气的混合气体或者氨气的反应离子蚀刻法进行蚀刻时的蚀刻速率为/秒～/秒。
15.根据权利要求12～14中任一项所述的绝缘膜，其中，介电常数为1.80～2.30。
16.根据权利要求12～15中任一项所述的绝缘膜，其中，在氟系气体下进行蚀刻时的蚀刻速率为SiO膜的0.75倍以下。
17.根据权利要求12～16中任一项所述的绝缘膜，其中，使用绝缘膜和SiCN膜测定的、基于m-ELT法即改良型边缘拉开测试法的密合力为0.15MPa·m(1/2)～0.35MPa·m(1/2)。
18.一种半导体装置，其特征在于，具备权利要求12～17中任一项所述的绝缘膜。
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