[发明专利]具有改良的偏压的开关

权利要求书

1.一种设备，其包含：

多个晶体管，其以堆叠配置耦合，且用以接收输入信号并提供输出信号；

多个电阻器，其耦合至所述多个晶体管的栅极；及

额外电阻器，其耦合至所述多个电阻器，且用以接收用于所述多个晶体管的控制信号。

2.根据权利要求1所述的设备，所述多个晶体管包含金属氧化物半导体MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的设备，所述多个晶体管包含N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器具有相等的电阻值。

5.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器及所述额外电阻器具有相等的电阻值。

6.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器各自具有第一电阻值，且所述额外电阻器具有不同于所述第一电阻值的第二电阻值。

7.根据权利要求1所述的设备，所述多个电阻器及所述额外电阻器各自具有至少1000欧姆的值。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：

第二多个电阻器，其耦合至所述多个晶体管的主体节点；及

第二额外电阻器，其耦合至所述第二多个电阻器及主体电压。

9.根据权利要求8所述的设备，所述主体电压为交流AC接地或低于所述输入信号的直流DC电压的偏压。

10.根据权利要求1所述的设备，所述输入信号包含输入射频RF信号，且所述输出信号包含输出RF信号。

11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包含：

功率放大器，其用以提供经放大的RF信号，且所述输入RF信号是基于所述经放大的RF信号而导出。

12.根据权利要求1所述的设备，所述输入信号具有大于每一晶体管的击穿电压的信号摆幅。

13.一种集成电路，其包含：

多个金属氧化物半导体MOS晶体管，其以堆叠配置耦合，且用以接收输入射频RF信号并提供输出RF信号；

多个电阻器，其耦合至所述多个MOS晶体管的栅极；及

额外电阻器，其耦合至所述多个电阻器，且用以接收用于所述多个MOS晶体管的控制信号。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其进一步包含：

第二多个电阻器，其耦合至所述多个MOS晶体管的主体节点；及

第二额外电阻器，其耦合至所述第二多个电阻器及主体电压。

15.一种设备，其包含：

模块，其包含多个开关以实施多个信号路径，所述模块接收射频RF信号且经由所述多个信号路径中的一者路由所述RF信号，所述多个开关中的每一者包含：

多个晶体管，其以堆叠配置耦合，

多个电阻器，其耦合至所述多个晶体管的栅极，及

额外电阻器，其耦合至所述多个电阻器，且用以接收用于所述多个晶体管的控制信号。

16.根据权利要求15所述的设备，所述模块为耦合至天线的天线收发切换器。

17.根据权利要求15所述的设备，所述模块为功率放大器PA模块，所述功率放大器PA模块进一步包含用以放大所述RF信号的至少一个功率放大器。

18.根据权利要求15所述的设备，所述设备为无线通信装置。

19.一种执行信号切换的方法，其包含：

将控制信号经由第一电阻器且进一步经由多个电阻器施加至以堆叠配置耦合的多个晶体管的栅极；

当所述多个晶体管通过所述控制信号接通时，使输入信号传递通过所述多个晶体管；及

当所述多个晶体管通过所述控制信号断开时，阻挡所述输入信号使其不能传递通过所述多个晶体管。

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包含：

当所述多个晶体管接通时，通过所述第一电阻器减少经由所述多个晶体管的寄生电容的信号损失。