[发明专利]具有可变控制电压的开关有效
申请号: | 201080032878.3 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN102474246A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 马尔科·卡西亚 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/06 | 分类号: | H03K17/06;H03K17/0812 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 可变 控制 电压 开关 | ||
1.一种设备,其包含:
开关,其用以在一个端子处接收输入信号且断开;
峰值电压检测器,其用以检测所述输入信号的峰值电压;以及
控制电压产生器,其用以基于所述检测到的峰值电压产生可变控制电压以使所述开关断开。
2.根据权利要求1所述的设备,所述控制电压产生器包含
控制单元,其用以基于所述检测到的峰值电压产生数字控制,和
数/模转换器DAC,其用以接收所述数字控制并产生用于所述开关的所述可变控制电压。
3.根据权利要求1所述的设备,所述控制电压产生器基于包含所述检测到的峰值电压的至少一个参数的函数产生所述可变控制电压。
4.根据权利要求3所述的设备,所述开关包含至少一个金属氧化物半导体MOS晶体管,且所述至少一个参数进一步包含所述至少一个MOS晶体管的阈值电压或击穿电压,或阈值电压与击穿电压两者。
5.根据权利要求1所述的设备,所述可变控制电压针对越来越大的检测到的峰值电压而具有越来越大的量值。
6.根据权利要求1所述的设备,所述开关包含
多个金属氧化物半导体MOS晶体管,其以堆叠配置耦合,和
多个电阻器,其耦合到所述多个MOS晶体管的栅极,所述可变控制电压经由所述多个电阻器而被施加到所述多个MOS晶体管的所述栅极。
7.根据权利要求1所述的设备,所述峰值电压检测器基于所述输入信号的峰值电压测量或均方根RMS测量或峰值电压测量与RMS测量两者来检测所述输入信号的所述峰值电压。
8.一种设备,其包含:
开关,其用以在一个端子处接收输入信号且接通;
峰值电压检测器,其用以检测所述输入信号的峰值电压;以及
控制电压产生器,其用以基于所述检测到的峰值电压产生数字控制,且基于所述数字控制产生可变控制电压以使所述开关接通。
9.根据权利要求8所述的设备,所述控制电压产生器包含
控制单元,其用以基于所述检测到的峰值电压产生所述数字控制,和
数/模转换器DAC,其用以接收所述数字控制且产生用于所述开关的所述可变控制电压。
10.根据权利要求8所述的设备,所述可变控制电压针对越来越大的检测到的峰值电压而具有越来越大的量值。
11.一种设备,其包含:
开关,其用以在一个端子处接收输入信号;
峰值电压检测器,其用以检测所述输入信号的峰值电压;以及
控制电压产生器,其用以基于所述检测到的峰值电压产生控制电压以使所述开关断开或接通。
12.根据权利要求11所述的设备,所述开关在断开时阻挡所述输入信号且在接通时使所述输入信号衰减。
13.根据权利要求11所述的设备,所述控制电压产生器产生所述控制电压以在所述检测到的峰值电压低于第一电平时使所述开关断开且在所述检测到的峰值电压高于第二电平时使所述开关接通,所述第二电平等于或高于所述第一电平。
14.根据权利要求13所述的设备,所述控制电压产生器在所述检测到的峰值电压低于所述第一电平时基于所述检测到的峰值电压产生可变控制电压以使所述开关断开。
15.根据权利要求13所述的设备,所述控制电压产生器在所述检测到的峰值电压高于所述第二电平时基于所述检测到的峰值电压产生可变控制电压以使所述开关接通。
16.根据权利要求15所述的设备,所述可变控制电压针对高于所述第二电平的越来越大的检测到的峰值电压而使所述开关越来越多地接通,以提供更多衰减。
17.根据权利要求11所述的设备,其进一步包含:
至少一个额外开关,其用以在一个端子处接收所述输入信号,所述开关中的一者或一者以上和所述至少一个额外开关在所述检测到的峰值电压高于特定电平时接通。
18.根据权利要求17所述的设备,越来越多的开关针对高于所述特定电平的越来越大的检测到的峰值电压而接通。
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