[发明专利]研磨剂、浓缩一液式研磨剂、二液式研磨剂以及基板研磨方法有效
申请号: | 201080032887.2 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102473622A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 龙崎大介;成田武宪;星阳介;岩野友洋 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/04;C09K3/14 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨剂 浓缩 一液式 二液式 以及 研磨 方法 | ||
1.一种研磨剂,其含有:4价金属氢氧化物粒子,阳离子化聚乙烯醇,选自由氨基糖、该氨基糖的衍生物、具有氨基糖的多糖类以及该多糖类的衍生物所组成的组的至少一种糖类,以及水。
2.如权利要求1所述的研磨剂,其中,所述4价金属氢氧化物粒子的平均粒径为1nm~400nm。
3.如权利要求1或2所述的研磨剂,其中,所述4价金属氢氧化物粒子在研磨剂中的ζ电位为-30mV~50mV。
4.如权利要求1至3中任一项所述的研磨剂,其中,研磨剂的pH为3.0~11.0。
5.如权利要求1至4中任一项所述的研磨剂,其中,所述4价金属氢氧化物粒子的含量相对于100质量份的研磨剂为0.005质量份~5质量份。
6.如权利要求1至5中任一项所述的研磨剂,其中,所述阳离子化聚乙烯醇的含量相对于100质量份的研磨剂为0.005质量份以上,所述糖类的含量相对于100质量份的研磨剂为0.001质量份以上。
7.如权利要求1至6中任一项所述的研磨剂,其中,所述4价金属氢氧化物粒子包含氢氧化铈。
8.如权利要求1至7中任一项所述的研磨剂,其中,所述糖类包含选自由壳聚糖以及壳聚糖衍生物所组成的组的至少一种。
9.一种浓缩一液式研磨剂,其是至少添加水而成为权利要求1至8中任一项所述的研磨剂的浓缩一液式研磨剂,其含有:所述4价金属氢氧化物粒子、所述阳离子化聚乙烯醇、所述糖类、以及所述水。
10.一种二液式研磨剂,其是以将第一液与第二液加以混合而成为权利要求1至8中任一项所述的研磨剂的方式,将该研磨剂的构成成分分为所述第一液与所述第二液而保存,所述第一液含有所述4价金属氢氧化物粒子与所述水。
11.如权利要求10所述的二液式研磨剂,其中,将所述第一液、所述第二液以及所述水加以混合而成为权利要求1至8中任一项所述的研磨剂。
12.一种基板研磨方法,其包括如下的工序:在将形成有被研磨膜的基板的该被研磨膜按压于研磨定盘的研磨垫上的状态下,一边将权利要求1至8中任一项所述的研磨剂供给至所述被研磨膜与所述研磨垫之间,一边使所述基板与所述研磨定盘相对移动而对所述被研磨膜进行研磨。
13.如权利要求12所述的基板研磨方法,其中,所述被研磨膜的至少一部分是氧化硅系绝缘膜。
14.如权利要求12所述的基板研磨方法,其中,所述被研磨膜的至少一部分是氮化硅膜或多晶硅膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造