[发明专利]聚烯烃构件及其制备方法

权利要求书

1.消泡剂在聚烯烃构件的制备中的用途，其中所述消泡剂包含芳基磺酸，优选地所述消泡剂包含烷基苯磺酸或烷基萘磺酸，例如二壬基萘磺酸或十二烷基苯磺酸。

2.一种用于制备聚烯烃构件的方法，其包括下列步骤：

-制备包含聚烯烃和溶剂的溶液；

-使所述溶液挤出或纺丝进入空气隙从而形成流体构件；

-冷却所述流体构件形成含溶剂的凝胶构件；

-在拉伸所述构件之前、期间和/或之后，从所述凝胶构件中至少部分除去溶剂，从而形成固体构件

其中

-所述溶液还包含含有芳基磺酸的消泡剂，优选地所述消泡剂包含烷基苯磺酸或烷基萘磺酸，例如二壬基萘磺酸或十二烷基苯磺酸。

3.如权利要求2所述的方法，其进一步包括下列步骤：加入所述消泡剂将所述溶液的电导率调至1000pS/m-3000pS/m，更优选地加入所述消泡剂将所述溶液的电导率调至1500pS/m-2500pS/m，最优选地加入所述消泡剂将所述溶液的电导率调至2000pS/m-2300pS/m。

4.如权利要求2或3所述的方法，其中所述冷却包括将所述流体构件转移到冷却浴中，其中所述冷却浴是具有有机相和水基相的两相冷却浴，优选地所述有机相的电导率为1000pS/m-3000pS/m，更优选地所述有机相的电导率为1500pS/m-2500pS/m，最优选地所述有机相的电导率为2000pS/m-2300pS/m。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述冷却浴包含含有芳基磺酸的消泡剂，优选地所述消泡剂包含烷基苯磺酸或烷基萘磺酸，例如二壬基萘磺酸或十二烷基苯磺酸。

6.如权利要求2至5中任意一项所述的方法，其中以至少3的因子在纵向上拉伸所述聚烯烃构件，优选地以至少10的因子在纵向上拉伸所述聚烯烃构件，更优选地以至少100的因子在纵向上拉伸所述聚烯烃构件。

7.如权利要求2至5中任意一项所述的方法，其中所述聚烯烃构件是片材构件，并且以至少10的面积因子双轴拉伸所述聚烯烃构件，优选地以至少为25的面积因子双轴拉伸所述聚烯烃构件。

8.一种用于制备聚烯烃构件的方法，其包括下列步骤：

-制备包含聚烯烃和溶剂的溶液；

-使所述溶液挤出或纺丝进入空气隙从而形成流体构件；

-冷却所述流体构件形成含溶剂的凝胶构件；

-在拉伸所述构件之前、期间和/或之后，从所述凝胶构件中至少部分除去溶剂，从而形成固体构件，

其中

-所述冷却包括将所述流体构件转移到包含有机相和水基相的冷却浴中；并且

-所述冷却浴包含含有芳基磺酸的消泡剂，优选地所述消泡剂包含烷基苯磺酸或烷基萘磺酸，例如二壬基萘磺酸或十二烷基苯磺酸。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述冷却浴中消泡剂的浓度介于4ppm和20ppm之间，所述冷却浴中消泡剂的浓度介于5ppm和15ppm之间。

10.如权利要求8或9所述的方法，其中所述冷却浴是具有有机相和水基相的两相冷却浴，优选地所述有机相的电导率为1000pS/m-3000pS/m，更优选地所述有机相的电导率为1500pS/m-2500pS/m，最优选地所述有机相的电导率为2000pS/m-2300pS/m。

11.如权利要求8至10中任意一项所述的方法，其中以至少2的因子在纵向上拉伸所述聚烯烃构件，优选地以至少10的因子在纵向上拉伸所述聚烯烃构件，更优选地以至少100的因子在纵向上拉伸所述聚烯烃构件。

12.如权利要求8至10中任意一项所述的方法，其中所述聚烯烃构件是片材构件，并且以至少8的面积因子双轴拉伸所述聚烯烃构件，优选地以至少25的面积因子双轴拉伸所述聚烯烃构件。

13.如权利要求8至12中任意一项所述的方法，其中所述溶液还包含含有芳基磺酸的消泡剂，优选地所述消泡剂包含烷基苯磺酸或烷基萘磺酸，更优选地所述消泡剂与所述冷却浴中所含的所述消泡剂相同。