[发明专利]单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚有效
| 申请号： | 201080033032.1 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102471922A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 须藤俊明;佐藤贤 | 申请（专利权）人： | 日本超精石英株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C03B20/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 日本秋田县*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 提拉用 氧化 玻璃 坩埚 | ||
1.一种氧化硅玻璃坩埚，包括侧壁部、弯曲部及底部，其特征在于：
还具有设置于所述坩埚外表面侧的氧化硅玻璃外层，设置于所述坩埚内表面侧的氧化硅玻璃内层，以及设置于所述氧化硅玻璃外层和所述氧化硅玻璃内层之间的氧化硅玻璃中间层，其中，
所述氧化硅玻璃外层具有100ppm以上的矿化剂浓度，
所述氧化硅玻璃中间层及所述氧化硅玻璃内层具有50ppm以下的矿化剂浓度，
所述底部的氧化硅玻璃外层的厚度为0.5mm以上且2.0mm以下，
所述侧壁部的氧化硅玻璃外层的厚度比所述坩埚底部的氧化硅玻璃外层的厚度厚。
2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述侧壁部的氧化硅玻璃外层的厚度为3.0mm以上。
3.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述侧壁部的所述氧化硅玻璃外层的平均厚度比所述弯曲部的所述氧化硅玻璃外层的平均厚度厚，所述弯曲部的所述氧化硅玻璃外层的平均厚度比所述底部的所述氧化硅玻璃外层的平均厚度厚。
4.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述氧化硅玻璃内层具有20ppm以下的矿化剂浓度。
5.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：氧化硅玻璃外层在所述侧壁部具有实质上具有恒定厚度，所述弯曲部的厚度趋向所述底部而逐渐变薄。
6..如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述矿化剂是铝（Al）。
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