[发明专利]太阳能电池用透明导电性基板及太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池用透明导电性基板及太阳能电池。

背景技术

对于太阳能电池，为了最大限度地利用太阳入射光的能量，人们希望提高光电转换效率。

作为用于提高光电转换效率的一种技术方案，可例举增大在太阳能电池中作为电极使用的太阳能电池用透明导电性基板中通过的电流的方法。为了达到该目的，已知有提高雾度值的方法，例如已知在导电膜的表面设置凹凸的方法(例如参考专利文献1和2)。

此外，太阳能电池中作为电极使用的太阳能电池用透明导电性基板通常构造成在玻璃等透光性优良的衬底上形成透明导电性氧化物膜。

对于该太阳能电池用透明导电性基板，目前优选使用从衬底侧开始依次设有氧化硅层和氧化锡层的层叠膜或从衬底侧开始依次设有氧化钛层和氧化硅层和氧化锡层的层叠膜。

例如，在专利文献3中，本申请人提出了以下方案：“一种太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，在衬底上从所述衬底侧开始依次形成有TiO₂层、SiO₂层和SnO₂层，所述SnO₂层的层厚为0.5～0.9μm，C光源雾度为20～60％。”

此外，在专利文献4中，本申请人提出了以下方案：“一种太阳能电池用透明导电性基板，其为在衬底上从所述衬底侧开始依次具有氧化硅层和与该氧化硅层邻接的多层层叠的氧化锡层的至少2种层的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，在所述层叠了多层的氧化锡层中，具有至少1层掺杂有氟的氧化锡层和至少1层未掺杂氟的氧化锡层。”

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2002-260448号公报

专利文献2：日本专利特开2001-36117号公报

专利文献3：国际公开第2004/102677号

专利文献4：国际公开第2007/058118号

发明的揭示

发明所要解决的课题

然而，本发明人进行探讨后发现，在氧化硅层上设置氧化锡层时，在这些层的界面附近(氧化锡层侧)会形成结晶性低的氧化锡层，该层吸收在400nm左右的波长范围内的光。

于是，本发明以提供一种具有与现有的太阳能电池用透明导电性基板相同程度的高雾度并且氧化锡层的400nm左右的波长范围的光的吸收量少的太阳能电池用透明导电性基板为目的。

解决课题所采用的技术方案

为了达到上述目的，本发明人进行了认真研究，结果发现在从衬底侧起依次至少具有氧化硅层和氧化锡层的太阳能电池用透明导电性基板中，通过在上述氧化硅层和氧化锡层之间的上述氧化硅层之上设置由氧化锡构成的不连续的凸部和由实质上不含有氧化锡的氧化物构成的结晶性薄膜，可维持高雾度并且减少氧化锡层的400nm左右的波长范围内的光的吸收量，从而完成了本发明。

即，本发明提供以下的(1)～(12)的发明。

(1)一种太阳能电池用透明导电性基板，其为在衬底上从上述衬底侧起依次至少具有氧化硅层和氧化锡层的太阳能电池用透明导电性基板，其中，

在上述氧化硅层和氧化锡层之间的上述氧化硅层之上具有由氧化锡构成的不连续的凸部和由实质上不含有氧化锡的氧化物构成的结晶性薄膜。

(2)如上述(1)所述的太阳能电池用透明导电性基板，其中，上述凸部和上述结晶性薄膜均以与上述氧化锡层接触的方式进行设置。

(3)如上述(1)所述的太阳能电池用透明导电性基板，其中，上述凸部被上述结晶性薄膜覆盖。

(4)如上述(1)～(3)中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其中，上述凸部是平均底面径为20～1000nm、平均密度为1～100个/μm²、在上述氧化硅层的表面上的平均覆盖率达到3～90％的凸部。

(5)如上述(1)～(4)中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其中，上述凸部是平均高度为10～200nm、平均底面径为20～1000nm、平均密度为1～100个/μm²、在上述氧化硅层的表面上的平均覆盖率达到3～90％的凸部。

(6)如上述(1)～(5)中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其中，上述凸部是通过使用四氯化锡和水并且上述水和上述四氯化锡的量以摩尔比(H₂O/SnCl₄)计在60倍以下的常压CVD法而形成的。