[发明专利]用于形成金属线的蚀刻组合物

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，用于蚀刻由选自Ti、Ti合金、Al和Al合金组成的组中的至少一种制成的单层膜或多层膜，其中所述组合物包含：

基于所述组合物的总重，

1～20wt％H₂O₂，1～7wt％可离解出硝酸根离子的化合物，0.05～2wt％含氟化合物，0.5～6wt％过硫酸盐化合物，和余量水。

2.根据权利要求1所述蚀刻组合物，进一步包含0.01～5wt％环状胺化合物。

3.根据权利要求1所述蚀刻组合物，其中所述可离解出硝酸根离子的化合物选自硝酸铵、硝酸钠、硝酸钾和硝酸组成的组中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述蚀刻组合物，其中所述含氟化合物为可离解出氟离子或多原子氟离子的化合物，并选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟氢化钠、氟氢化铵和氟化氢组成的组中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述蚀刻组合物，其中所述过硫酸盐化合物选自过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾组成的组中的一种或多种。

6.根据权利要求2所述蚀刻组合物，其中所述环状胺化合物选自吡咯烷、吡咯啉、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑、嘧啶、嘌呤、吡啶及其衍生物组成的组中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述蚀刻组合物，进一步包含选自硫酸、盐酸、磷酸和高氯酸组成的组中的一种或多种无机酸。

8.根据权利要求1所述蚀刻组合物，进一步包含用于控制侧蚀刻的醋酸盐化合物。