[发明专利]使用硅纳米粒子流体以原位控制一组掺杂剂扩散分布的方法无效
申请号: | 201080033759.X | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102473592A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | G·斯卡尔德拉;D·泊普拉维斯基;M·罗伯斯;S·夏 | 申请(专利权)人: | 英诺瓦莱特公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 纳米 粒子 流体 原位 控制 一组 掺杂 扩散 分布 方法 | ||
1.在基板上形成多掺杂结的方法,所述方法包括:
提供掺有硼原子的基板,所述基板包括基板正表面;
将油墨以油墨图案形式沉积在所述基板正表面上,所述油墨包含一组纳米粒子和一组溶剂;
将所述基板在烘焙环境中加热至第一温度并持续第一时间段以生成致密膜油墨图案;
将所述基板在第二温度下、在具有沉积环境的扩散炉中暴露于掺杂剂源并持续第二时间段,所述沉积环境包括POCl3、N2载气、主要N2气体和反应性O2气体,其中PSG层在所述基板正表面和所述致密膜油墨图案上形成;以及
在驱入环境中将所述基板加热至第三温度;
其中具有第一薄层电阻的第一扩散区域在被所述致密膜油墨图案覆盖的基板正表面下形成,并且具有第二薄层电阻的第二扩散区域在未被所述致密膜油墨图案覆盖的基板正表面下形成,并且其中所述第一薄层电阻基本上小于所述第二薄层电阻。
2.权利要求1的方法,其中所述第一温度介于约200℃和约800℃之间,并且所述第一时间段介于约3分钟和约20分钟之间。
3.权利要求1的方法,其中所述N2载气与所述反应性O2气体的比率介于约1∶1至约1.5∶1之间,所述第二温度介于约700℃和约1000℃之间,并且所述第二时间段介于约5分钟和约35分钟之间。
4.权利要求1的方法,其中所述第三温度介于约800℃和约1100℃之间。
5.权利要求1的方法,其中所述第一温度介于约200℃和约800℃之间,并且所述第一时间段介于约3分钟和约8分钟之间。
6.权利要求1的方法,其中所述第二温度介于约725℃和约825℃之间,并且所述第二时间段介于约10分钟和约35分钟之间。
7.权利要求1的方法,其中所述第二温度介于约750℃和约850℃之间,并且所述第二时间段介于约10分钟和约30分钟之间。
8.权利要求1的方法,其中所述第二温度为约800℃,并且所述第二时间段为约20分钟。
9.权利要求1的方法,其中所述第三温度介于约875℃和约1000℃之间。
10.权利要求1的方法,其中所述第三温度介于约850℃和约1050℃之间。
11.权利要求1的方法,其中所述第三温度为约900℃。
12.权利要求1的方法,其中将所述基板加热至所述第三温度的步骤在第三时间段进行,所述第三时间段介于约15分钟和约30分钟之间。
13.权利要求1的方法,其中所述第一薄层电阻介于约20Ohm/sq和约70Ohm/sq之间,并且所述第二薄层电阻介于约80Ohm/sq和约140Ohm/sq之间。
14.权利要求1的方法,其中所述第一薄层电阻介于约30Ohm/sq和约60Ohm/sq之间,并且所述第二薄层电阻介于约90Ohm/sq和约120Ohm/sq之间。
15.权利要求1的方法,其中所述第一薄层电阻介于约30Ohm/sq和约50Ohm/sq之间,并且所述第二薄层电阻介于约100Ohm/sq和约110Ohm/sq之间。
16.权利要求1的方法,其中所述烘焙环境为惰性环境和氧化环境中的一种。
17.权利要求1的方法,其中所述驱入环境为惰性环境和氧化环境中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造