[发明专利]用于原子层沉积的设备

权利要求书

1.用于将材料原子层沉积在移动基底上的设备，所述设备包括：

用于沿着预定行进路径使基底移动通过所述设备的传输装置；

具有本文所定义的至少一个前体递送通道的涂覆杆，所述前体递送通道具有出口端，所述前体递送通道能够将包含待沉积在基底上的材料的流体朝向行进路径引导；

这样，当使用时，可沿着行进路径移动的基底限定所述前体递送通道的出口端与所述基底之间的间隙，所述间隙限定对于来自所述前体递送通道的流体流的阻抗Z_g，

设置在所述前体递送通道内部的限流器，所述限流器呈现对于所述前体递送通道中的所述流的预定阻抗Z_fc，

通过所述阻抗Z_fc的所述流具有摩擦因子f，

其中所述限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Z_fc为所述阻抗Z_g的至少五(5)倍并且

所述摩擦因子f小于100。

2.权利要求1的设备，其中所述前体递送通道具有相对于基底通过所述设备的行进路径的上游侧和下游侧，并且其中

所述涂覆杆具有本文所定义的第一惰性气体递送通道和第二惰性气体递送通道，所述第一惰性气体递送通道和第二惰性气体递送通道被分别设置在所述前体递送通道的上游侧和下游侧，

每个惰性气体递送通道具有出口端，每个惰性气体递送通道能够朝向行进路径引导惰性流体；

这样，在使用时，可沿着行进路径移动的基底限定每个惰性气体递送通道的所述末端和所述基底之间的间隙，每个间隙也限定对于来自每个惰性气体递送通道的流体流的阻抗Z’_g，

其中所述涂覆杆还包括：

设置在每个惰性气体递送通道内的限流器，每个限流器呈现对于所述相应的惰性气体递送通道中的所述流的预定的阻抗Z’_fc，

通过所述阻抗Z’_fc的所述流具有摩擦因子f’，

每个限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Z’_fc为所述阻抗Z’_g的至少五(5)倍，并且

所述摩擦因子f’小于100。

3.权利要求2的设备，其中所述前体递送通道中的限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Z_fc为所述阻抗Z_g的至少十五(15)倍。

4.权利要求1的设备，其中所述前体递送通道中的限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Z_fc为所述阻抗Z_g的至少十五(15)倍。

5.权利要求3的设备，其中每个惰性气体递送通道中的限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Z’_fc为所述阻抗Z’_g的至少十五(15)倍。

6.权利要求2的设备，其中每个惰性气体递送通道中的限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Z_fc为所述阻抗Z_g的至少十五(15)倍。

7.权利要求1的设备，所述摩擦因子f小于10。

8.权利要求4的设备，所述摩擦因子f小于10。

9.权利要求6的设备，所述摩擦因子f’小于10。

10.权利要求2的设备，所述摩擦因子f’小于10。

11.权利要求1的设备，其中所述基底通过所述设备的行进路径是弯曲的。

12.权利要求1的设备，其中所述基底通过所述设备的行进路径是平面的。

13.权利要求2的设备，其中所述基底通过所述设备的行进路径是弯曲的。

14.权利要求2的设备，其中所述基底通过所述设备的行进路径是平面的。