[发明专利]氮化物半导体激光二极管

权利要求书

1.一种氮化物半导体激光二极管，其包含衬底；n侧氮化物半导体层，形成在所述衬底上，且含有n型杂质；活性层，形成在所述n侧氮化物半导体层上，且具有包含In_xAl_yGa_1-x-yN(0＜x＜1，0≤y＜1，0＜x+y＜1)的发光层；以及p侧氮化物半导体层，形成在所述活性层上，且包含p型杂质；其特征在于：

所述氮化物半导体激光二极管的振荡波长为500nm以上，

以所述活性层为起点产生的位错贯穿所述p侧氮化物半导体层，所述p侧氮化物半导体层的位错密度达到1×10⁶cm^-2以上，

所述p型杂质的深度方向的浓度分布是在从所述发光层朝向所述p侧氮化物半导体层的表面而和最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述发光层的上端相距300nm以内的范围内，具有p型杂质浓度达到5×10¹⁸cm^-3以上的最大值，且当过了所述最大值后，在所述300nm以内的范围内，所述p型杂质浓度不低于6×10¹⁷cm^-3。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光二极管，其特征在于：在相距最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述发光层的上端150nm以内，具有所述最大值。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体激光二极管，其特征在于：所述p型杂质的深度方向的浓度分布是在所述300nm的范围内，过了所述最大值之后，具有所述p型杂质浓度不低于6×10¹⁷cm^-3的最小值，且过了所述最小值之后，所述p型杂质浓度增大到1×10¹⁸cm^-3以上。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体激光二极管，其特征在于：在相距最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述发光层上端250nm以内，具有所述最小值。

5.一种氮化物半导体激光二极管，其包含衬底；n侧氮化物半导体层，形成在所述衬底上；量子阱结构的活性层，形成在所述n侧氮化物半导体层上且具有包含In_xAl_yGa_1-x-yN(0＜x＜1，0≤y＜1，0＜x+y＜1)的阱层；以及p侧氮化物半导体层，形成在所述活性层上；其特征在于：

所述n侧氮化物半导体层含有GaN层或者AlGaN层，

所述活性层中的所述阱层的振荡波长为500nm以上，以所述阱层为起点产生的位错贯穿所述p侧氮化物半导体层，所述p侧氮化物半导体层内的位错密度达到1×10⁶cm^-2以上，

在和最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述阱层的上端相距300nm以内的范围，含有包含带隙大于所述阱层且含Al的氮化物半导体，且p型杂质浓度为5×10¹⁸cm^-3以上的第1p型氮化物半导体层，

在所述第1p型氮化物半导体层上，具有所述300nm以内的范围内p型杂质浓度低于所述第1p型氮化物半导体层且为6×10¹⁷cm^-3以上的第2p型氮化物半导体层。

6.根据权利要求5所述的氮化物半导体激光二极管，其特征在于：在相距最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述阱层的上端150nm以内，具有所述第1p型氮化物半导体层。

7.根据权利要求5或6所述的氮化物半导体激光二极管，其特征在于：所述第2p型氮化物半导体层的p型杂质浓度是随着离开最靠近所述第1p型氮化物半导体层一侧的界面而在不低于6×10¹⁷cm^-3的范围内暂时下降之后，朝向相反侧界面增加。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的氮化物半导体激光二极管，其特征在于：所述第2p型氮化物半导体层的p型杂质浓度，在相距最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述阱层的上端250nm以内具有最小值。