[发明专利]用于具有受控的化学计量的光伏吸收剂的方法无效
申请号: | 201080034701.7 | 申请日: | 2010-08-02 |
公开(公告)号: | CN102473778A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 凯尔·L·富伊达拉;韦恩·A·乔米特兹;朱中亮;马修·C·库赫塔;黄庆澜 | 申请(专利权)人: | 普瑞凯瑟安质提克斯公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴小瑛;任晓华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 具有 受控 化学 计量 吸收剂 方法 | ||
1.用于在基板上制备具有预定的化学计量的光伏吸收剂层的方法,该方法包含将具有预定的化学计量的前体沉积在基板上并将沉积的前体转化成光伏吸收剂材料。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述前体为聚合前体。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述预定的化学计量为一价金属原子或第13族原子的化学计量。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述预定的化学计量为Cu、Ag、In、Ga、Al或其任何组合的化学计量。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述前体具有根据实验式(Cu1-xAgx)u(In1-y-tGayAlt)v((S1-zSez)R)w的预定的化学计量,其中x为0至1,y为0至1,t为0至1,y加t的和为0至1,z为0至1,u为0.5至1.5,v为0.5至1.5,w为2至6,且R代表数目为w的独立选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体的R基团。
6.如权利要求5所述的方法,其中x为0至0.5,y为0至1,t为0至1,y加t的和为0至1,z为0至1,u为0.7至1.2,v为0.9至1.1,w为2至6。
7.如权利要求5所述的方法,其中x为0至0.3,y为0至1,t为0至1,y加t的和为0至1,z为0至1,u为0.7至1.2,v为1,w为3至5。
8.如权利要求5所述的方法,其中x为0至0.2,y为0至1,t为0至1,y加t的和为0至1,z为0至1,u为0.7至1.2,v为1,w为3.5至4.5。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述前体具有选自CIS、CIGS、AIS、AIGS、CAIS、CAIGS、CIGAS、AIGAS和CAIGAS的光伏吸收剂材料的预定的化学计量。
10.如权利要求1所述的方法,其中一种或多种前体以墨水组合物的形式被沉积。
11.如权利要求1所述的方法,其中所述沉积通过喷雾、喷涂、喷雾沉积、喷雾热解、印刷、丝网印刷、喷墨印刷、气溶胶喷射印刷、油墨印刷、喷射印刷、印台印刷、转移印刷、移印、柔性版印刷、凹版印刷、接触印刷、背面印刷、热敏印刷、平版印刷、电子照相印刷、电解沉积、电镀、无电式电镀、浴沉积、涂布、湿式涂布、浸涂、旋涂、刮刀涂布、辊涂、棒式涂布、狭缝模具涂布、麦勒棒涂布、唇口型直接涂布、毛细管涂布、液相沉积、溶液沉积、逐层沉积、旋浇铸、溶液浇铸及任何上述的组合来进行。
12.如权利要求1所述的方法,其中所述基板选自由下列组成的组:半导体、掺杂半导体、硅、砷化镓、绝缘体、玻璃、钼玻璃、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化硅、金属、金属箔、钼、铝、铍、镉、铈、铬、钴、铜、镓、金、铅、锰、钼、镍、钯、铂、铼、铑、银、不锈钢、钢、铁、锶、锡、钛、钨、锌、锆、金属合金、金属硅化物、金属碳化物、聚合物、塑料、导电聚合物、共聚物、聚合物掺合物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜、迈拉、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酮、聚酰亚胺、聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚硅氧烷、环氧树脂、纸、涂布纸及任何上述的组合。
13.通过权利要求1至12中任一项所述的方法制造的光伏吸收剂材料。
14.通过权利要求1至12中任一项所述的方法制造的光伏装置。
15.用于提供电力的方法,其包含使用权利要求14所述的光伏装置将光转化成电能。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普瑞凯瑟安质提克斯公司,未经普瑞凯瑟安质提克斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080034701.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的