[发明专利]极紫外微光刻的基底与反射镜以及制造它们的方法

权利要求书

1.一种反射镜，包含基底和用于EUV波长区的反射涂层，其特征在于：

所述基底的表面区域在所述反射涂层之下沿着所述反射涂层均匀地延伸，且从所述基底的表面观察起，所述表面区域具有最深达5μm的深度，所述表面区域具有比其余基底高2％的密度。

2.如权利要求1所述的反射镜，其中，所述基底的所述表面区域的深度大于在所述反射镜的使用期间所述EUV波长区中的光的穿透深度。

3.如权利要求1所述的反射镜，其中，从所述表面观察起，所述基底的所述表面区域具有最深达2μm的深度，并且具有比其余基底高3％的密度。

4.如权利要求1所述的反射镜，其中，从所述表面观察起，所述基底的所述表面区域具有最深达1μm的深度，并且具有比其余基底高4％的密度。

5.如权利要求1所述的反射镜，其中，在所述EUV波长区中的光以超过10kJ/mm²的剂量照射后，所述反射镜在其反射谱内的平均反射波长与在所述照射前的平均反射波长的偏离小于0.25nm。

6.如权利要求5所述的反射镜，其中，所述平均反射波长的改变小于0.15nm。

7.如权利要求1所述的反射镜，其中，在所述EUV波长区中的光以超过0.1kJ/mm²的剂量照射后，所述反射镜的表面形状与所述照射前的原始表面形状的偏离小于2nm PV。

8.如权利要求7所述的反射镜，其中，在所述EUV波长区中的光以超过1kJ/mm²的剂量进一步照射后，所述反射镜的表面形状与第一次照射后的表面形状的偏离小于5nm PV。

9.如权利要求1所述的反射镜，其中，利用能量在0.2MeV至10MeV之间的离子在每cm²有10¹⁴至10¹⁶个离子的总粒子密度的情况下对基底表面的均匀照射而产生所述表面区域的较高密度，并且其中执行所述均匀照射，使得所述反射镜的表面形状在被照射时最多改变1nm PV。

10.如权利要求1所述的反射镜，其中利用剂量在0.1J/mm²至2500J/mm²之间、优选在0.1J/mm²至100J/mm²之间、甚至更优选在0.1J/mm²至10J/mm²之间的电子在能量在10至80keV之间的情况下对基底表面的均匀照射产生所述表面区域的较高密度，并且其中执行所述均匀照射，使得所述反射镜的表面形状在被照射时最多改变1nm PV。

11.如权利要求7、9、或10所述的反射镜，其中所述表面形状的改变最多为0.5nm PV。

12.一种用于EUV波长区的反射镜的基底，其特征在于：从所述基底的表面观察起，所述基底的表面区域在反射EUV涂层区之下均匀地向下延伸到最深达5μm的深度，且所述表面区域具有比其余基底高2％的密度。

13.如权利要求12所述的基底，其中，所述基底的所述表面区域的深度大于在包含所述基底的反射镜的使用期间所述EUV波长区中的光的穿透深度。

14.如权利要求12所述的基底，其中所述表面区域具有最深达2μm的深度，并且具有比其余基底高3％的密度。

15.如权利要求12所述的基底，其中所述表面区域具有最深达1μm的深度，并且具有比其余基底高4％的密度。

16.如权利要求12所述的基底，其中，在所述EUV波长区中的光以超过0.1kJ/mm²的剂量照射后，所述基底具有的表面形状与照射前的原始表面形状的偏离小于2nm PV。

17.如权利要求12所述的基底，其中在所述EUV波长区中的光以超过1kJ/mm²的剂量进一步照射后，所述基底具有的表面形状与第一次照射后的表面形状的偏离小于5nm PV。